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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC5068
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5068A
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2SC5069KEXIN09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
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2SC5069-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5069-TD-E - 2SC5069 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 2A 25V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC5069-TD-EON Semiconductor2SC5069-TD-E
auf Bestellung 152000 Stücke:
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1916+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1916 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5069-TD-EonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
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2SC506XTOSHIBA
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2SC507TOSHIBA
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2sc5070
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2SC5071Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS NPN 400V 12A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.4A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 7A, 4V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
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2SC5071
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2SC5071 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 45753
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SC5072
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2SC5072N
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2SC5072P
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2SC5073
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2SC5073M
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2SC5078
auf Bestellung 17400 Stücke:
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2SC507XTOSHIBA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2SC508TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
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2SC5080
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC5080ZD-TLRenesas Electronics CorporationDescription: RF 0.05A, NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 42000 Stücke:
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738+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 738 Stücke
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2SC5080ZD-TLRenesas2SC5080ZD-TL
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1324+0.5 EUR
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2SC5080ZD-TL
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2SC5081HITACHI03/04+ SOT343
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2SC5081ZD-TLHITSOT23-4
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2SC5082M
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2SC5082MIM
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2SC5082MIN
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2SC5082ML
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2SC5082MP
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2SC5083
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2SC5083L
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2SC5083M
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC5084TOSHIBA
auf Bestellung 258000 Stücke:
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2SC5084-OTOSHIBA
auf Bestellung 99000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5084-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ S MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5084-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5084-O(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5084-YTOSHIBASOT-23
auf Bestellung 213000 Stücke:
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2SC5084-Y SOT23-MCYTOSHIBA
auf Bestellung 2220 Stücke:
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2SC5084-Y(TE85L,F)TOSHIBA2007
auf Bestellung 30000 Stücke:
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2SC50840
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5084YTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
auf Bestellung 9208 Stücke:
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5+0.82 EUR
10+0.68 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2SC5084YTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59
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2SC5085
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5085-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5085-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5085-O(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHz
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.25 EUR
100+0.79 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SC5085-YTOSHIBASOT323
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5085-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 16.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5085-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 80mA 100mW 12V
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.68 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2SC5085-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 16.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-0
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-OTOSHIBA99+ SOT-23
auf Bestellung 15999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-O(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-O,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-O,LFToshibaRF Bipolar Transistors Radio-Frequency Bipolar Transistor
auf Bestellung 7249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-O,LFToshibaTrans RF BJT NPN 12V 0.08A 100mW 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-O,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-YTOSHIBASOT523
auf Bestellung 8835 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-Y,LFToshibaRF Bipolar Transistors Radio-Frequency Bipolar Transistor
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.61 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-Y,LFToshibaTrans RF BJT NPN 12V 0.08A 100mW 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5086YTE85LTOS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5087-OTOSHIBA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5087-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5087-O(TE85L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF Device VHF/UHF 13V 150mW 13dB 7GHz
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5087-YTOSHIBASOT143
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5087R(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5087R(TE85L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.19 EUR
100+0.76 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5087R(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5087R/TE85LFTOSHIBASOT-143 09+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5087YTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5087YTE85LFToshibaRF Bipolar Transistors Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
auf Bestellung 3062 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5087YTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Obsolete
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2SC5088
Produktcode: 82726
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: 2-2K1A
Transitfrequenz fT: 7 GHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 12 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 20 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,08 A
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1+0.35 EUR
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2SC5088FAIRCHILD2002 TO-3P
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2SC5088-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Obsolete
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2SC5088-O(TE85L,F)ToshibaToshiba
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2SC5088-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Obsolete
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2SC509TOSHIBA
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2SC5090-0TOSHIBA07+ SOT-323
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2SC5090-OTOSHIBASOT-323
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2SC5091TOSHIBA
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2SC5091-O
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2SC5092TOSHIBA
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2SC5092-OTOSHIBASOT-143
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2SC5095ToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC5095 (TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC5095-0TOSHIBASOT323
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2SC5095-OTOSHIBASOT323
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2SC5095-O(TE85L)TOSHIBASOT323-MEO
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2SC5095-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
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2SC5095-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Power - Max: 100mW
Gain: 13dB ~ 7dB
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
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2SC5095-O(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 15mA 100mW 10V
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2SC5095-OSOT323-MEOTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2SC5095-R(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 15mA 100mW 10V
auf Bestellung 3775 Stücke:
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100+0.36 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
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