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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC595N
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC596TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964onsemi BIP NPN 3A 50V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-S-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5964-S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-S-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 16999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1699+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1699 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-S-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 380MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
auf Bestellung 3567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.35 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-ESANYOSOT89
auf Bestellung 208000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
544+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.42 EUR
2000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.45 EUR
2000+0.42 EUR
3000+0.39 EUR
5000+0.37 EUR
7000+0.36 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5964-TD-H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: NO
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-HonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.77 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 13473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
21+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5964-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5966onsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5966-CAON Semiconductor2SC5966-CA
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.68 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5966-CAonsemiDescription: BIP NPN 20A 800V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 5992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
226+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5966-CAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5966-CA - 2SC5966-CA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC596N
auf Bestellung 3689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC597TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5976(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 30V 3A 625mW 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5976(TE85L,F)Toshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5976(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 30V 3A 625mW 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC597N
auf Bestellung 3557 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC598TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5980-TL-ESanyoDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
283+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5984TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT HIGH VOLT 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC599TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC59930PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 180V 1.5A TO-220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC59930QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 180V 1.5A TO-220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994onsemi BIP NPN 2A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5994-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
281+0.83 EUR
332+0.64 EUR
407+0.52 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
auf Bestellung 19976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.75 EUR
100+0.51 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A PCP
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
26+0.83 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-ESANYO05+ SOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.35 EUR
706+0.25 EUR
965+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5994-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
281+0.83 EUR
332+0.64 EUR
407+0.52 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+0.58 EUR
345+0.49 EUR
494+0.33 EUR
586+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+0.51 EUR
494+0.36 EUR
586+0.29 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5994-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC5996A-T111-1BN/A09+
auf Bestellung 15018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC60NECCAN
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC600NEC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC6000TOS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC6000(TE16L1,NQ)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR NEW PW-MOLD MOQ=2000 PD=20W F=150MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2SC6000(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: 2SC6000(TE16L1,NQ)
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PW-MOLD
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 83mA, 2.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC601NEC
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC6010(T2MITUM,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 600V 1A MSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-71
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: MSTM
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6011Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS NPN 200V 15A TO3P
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3P
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.33 EUR
10+7 EUR
100+5.65 EUR
500+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6011AEVVODescription: AUDIO AMPLIFICATION TRANSISTOR T
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3PN
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.5V @ 0.5A, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.65 EUR
30+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SC6011A
Produktcode: 152092
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SC6011ASanken Electric USA Inc.Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3P
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6011ASPTECHTrans GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk Transistor set with 2SA2150A ; Complementary to 2SA2151A 2SC6011A T2SC6011a
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2SC6014-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6014-TD-E - 2SC6014 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 5A 30V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+26.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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2SC6014-TD-EonsemiDescription: BIP NPN 5A 30V
Packaging: Bulk
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+22.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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2SC6016-TD-ESanyoDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
283+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
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2SC6017onsemi BIP NPN 10A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2SC6017-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.83 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.74 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6017-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 52366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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2SC6017-E
Produktcode: 107502
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SC6017-H-TL-ESanyo Electric2SC6017-H-TL-E
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1140+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1140 Stücke
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2SC6017-H-TL-ESanyoDescription: TRANS NPN 50V 10A DPAK/TP-FA
Power - Max: 950 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
910+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 910 Stücke
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2SC6017-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
126+1.86 EUR
178+1.21 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EON Semiconductor
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
126+1.86 EUR
178+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EXON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6017-TL-EXonsemiDescription: TRANS NPN 50V 10A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC601N
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC602NEC
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6023-TR-EonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 14.5GHZ 4-MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 9.5dB ~ 11dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3030+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6023-TR-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6023-TR-E - 2SC6023 - NPN 35MA 3.5V FT=14.5G
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6024-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6024-TL-E - 2SC6024-TL-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1194+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6024-TL-EonsemiDescription: RF TRANS NPN 3.5V 14GHZ 3-SSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 9dB ~ 10.5dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2597 Stücke
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2SC6026CT-GRToshibaBipolar Transistors - BJT 100mA 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-GR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026CT-GR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
auf Bestellung 6655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
65+0.32 EUR
104+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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