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Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V

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IRFBG30

Vishay / Siliconix

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IRFBG30

Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

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IRFBG30 (Transistor)
Produktcode: 51783

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IRFBG30PBF

Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFBG30PBF

IRFBG30PBF MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB Транзистори

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IRFBG30PBF
Produktcode: 29889

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Siliconix

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 В
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 980/80
Montage: THT

auf Bestellung: 16 St.

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IRFBG30PBF

Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFBG30PBF

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 705 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	3.44 EUR
38+	2.28 EUR
50+	1.94 EUR
100+	1.78 EUR
250+	1.62 EUR
500+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IRFBG30PBF

Vishay/IR

N-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 980 @ 25, Qg, нКл = 80 @ 10 В, Rds = 5 Ом @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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IRFBG30PBF

Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

auf Bestellung 705 Stücke:

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47+	3.72 EUR
55+	3.14 EUR
100+	2.82 EUR
250+	2.5 EUR
500+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

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IRFBG30PBF

Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm

auf Bestellung 424 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	9.17 EUR
49+	4.76 EUR
100+	3.7 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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IRFBG30PBF

Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V

auf Bestellung 3508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.06 EUR
10+	4.62 EUR
50+	3.56 EUR
100+	3.22 EUR
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IRFBG30PBF

Vishay Semiconductors

MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET

auf Bestellung 5250 Stücke:

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10+	3.06 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.93 EUR
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IRFBG30PBF

IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET

auf Bestellung 10 Stücke:

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IRFBG30PBF-BE3

Description: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	5.72 EUR
71+	3.3 EUR
75+	2.89 EUR
76+	2.83 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

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IRFBG30PBF-BE3

Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V

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IRFBG30PBF-BE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET

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IRFBG30PBF-BE3

Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFBG30PBF-BE3