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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFBG20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20VishayN-MOSFET 1.4A 1000V 54W 11Ω IRFBG20 TIRFBG20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.61 EUR
100+1.99 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.77 EUR
2000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
auf Bestellung 9758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
70+3.32 EUR
100+2.27 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.65 EUR
5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+3.19 EUR
100+2.24 EUR
500+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.67 EUR
100+2.06 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.92 EUR
2000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFIRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.39 EUR
73+2.33 EUR
100+1.81 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.39 EUR
73+2.28 EUR
100+1.74 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.56 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.58 EUR
44+1.98 EUR
46+1.87 EUR
50+1.77 EUR
100+1.59 EUR
250+1.39 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
88+1.88 EUR
100+1.7 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
61+2.8 EUR
100+2.49 EUR
250+2.11 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFТранзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 4829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.08 EUR
10+5.33 EUR
50+4.14 EUR
100+3.75 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBF-BE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
On-state resistance: 11Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.06 EUR
10+4.62 EUR
50+3.56 EUR
100+3.22 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 1KV 1.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.57 EUR
100+2.01 EUR
500+1.69 EUR
2000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30VishayTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30
Produktcode: 18004
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 V
Drain-Strom Idd, A: 3,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 980/80
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 (Transistor)
Produktcode: 51783
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.62 EUR
72+2.36 EUR
73+2.28 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFIRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.61 EUR
53+3.22 EUR
100+2.73 EUR
250+2.4 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishay SiliconixIRFBG30PBF MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 23192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
84+1.9 EUR
100+1.67 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 25242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.62 EUR
72+2.31 EUR
73+2.2 EUR
100+1.89 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 980 @ 25, Qg, нКл = 80 @ 10 В, Rds = 5 Ом @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 3255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
10+4.78 EUR
50+3.7 EUR
100+3.34 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
58+4.06 EUR
100+3.37 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.77 EUR
31+2.8 EUR
50+2.42 EUR
100+2.17 EUR
200+1.89 EUR
250+1.81 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 В
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 980/80
Montage: THT
auf Bestellung: 10 St.
  • 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.51 EUR
10+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+3.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
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IRFBG30PBF-BE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.1A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFBG30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
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IRFBL3315Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Super D2-Pak
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Supplier Device Package: Super D2-Pak
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFBL3703Infineon TechnologiesInfineon
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IRFBL3703Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: Super D2-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Super D2-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFC024BVishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 60V
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IRFC024NInfineon / IRInfineon
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IRFC024NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 17A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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IRFC024NBInfineon TechnologiesInfineon
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IRFC024NFInfineon / IRInfineon
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IRFC048NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
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IRFC048NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH
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IRFC110VishayHexfet Power Mosfet
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 Mindestbestellmenge: 16413 Stücke
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IRFC11N50ABVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 2100 Stücke
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IRFC120NBInfineon TechnologiesInfineon
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IRFC120NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 9.4A DIE
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
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IRFC130BVishayHigh Voltage MOSFET
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IRFC130NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 17A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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IRFC140BVishayHEXFET
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IRFC140NInfineon / IRInfineon
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IRFC140NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 33A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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IRFC20N50ABVishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
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IRFC22N50ABVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 232 Stücke
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IRFC230NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 200V 9.3A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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IRFC240NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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IRFC250VishayTrans MOSFET 200V Die
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 Mindestbestellmenge: 1490 Stücke
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IRFC250NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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IRFC2604BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET
Part Status: Obsolete
Mounting Type: Surface Mount
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IRFC260BVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 886 Stücke
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IRFC260NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 200V 50A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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IRFC264BVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 884 Stücke
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IRFC3004EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC3006EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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IRFC3006EBInfineon / IRInfineon
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IRFC3006EDInfineon / IRInfineon
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IRFC3107EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC3205BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 110A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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IRFC3205ZEBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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IRFC3206EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC3306EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V DIE ON WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC3315BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 150V 23A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
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IRFC3415BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 150V 43A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
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IRFC360BVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 1392 Stücke
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IRFC3710DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 57A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 57A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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IRFC3710ZEBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC37N50ABVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 220 Stücke
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IRFC3810BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 170A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 170A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
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IRFC4010EBInfineon / IRInfineon
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IRFC4010EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V DIE ON WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC4019BInfineon / IRInfineon
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IRFC4019EBInfineon / IRInfineon
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IRFC4019EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 17A DIE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
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IRFC4020BInfineon / IRInfineon
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IRFC4020DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
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IRFC4020DInfineon TechnologiesInfineon
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IRFC4020EBInfineon / IRInfineon
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IRFC40N50LVishayVishay MOSFET N-CHANNEL 500V
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