Produkte > MJD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| MJD41C Produktcode: 139423
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
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| MJD41C-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41C-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41C-13 | Diodes Zetex | NPN Medium Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41C-QJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41C-QJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD41C-QJ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 6A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41C-QJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41C-QJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD41C-QJ | Nexperia | TRANS NPN 100V 6A DPAK AEC-Q101 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41C-QJ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT MJD41C-Q/SOT428/DPAK | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41C-TP | Micro Commercial Components | NPN Power Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41C-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41C-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN TRANSISTOR, DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 100V 6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W | auf Bestellung 3788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CJ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT MJD41C/SOT428/dich | auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CJ | Nexperia | TRANS NPN 100V 6A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD41CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CJ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD41CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6A Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CQ-13 | Diodes Zetex | 100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K | auf Bestellung 2409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CQ-13 | Diodes Zetex | 100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD41CRL | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD41CRL - MJD41CRL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1032 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CRL | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD41CRL | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W | auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CRL | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD41CRLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CRLG | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK | auf Bestellung 5656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CRLG | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 15...75 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CRLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN | auf Bestellung 8925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CRLG | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK | auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CRLG | ON Semiconductor | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD41CRLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CT4 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CT4 | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Power - Max: 20 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD41CT4G | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD41CT4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD41CT4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN | auf Bestellung 1738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CT4G | On Semiconductor | TRANS NPN 100V 6A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CT4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CT4G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 15...75 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | auf Bestellung 1561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CTF | On Semiconductor | TRANS NPN 100V 6A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CTF | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A TO-252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD41CTF | ON Semiconductor | NPN/6A/100V DPAK | auf Bestellung 1155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD41CTFCTF | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD41CTFCTF | ON Semiconductor | MJD41CTFCTF | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD41CTFCTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD41CTFCTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD42 | auf Bestellung 15787 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MJD42C | On Semiconductor | PNP, Uкэ=100V, Iк=6A (10 имп.), h21=15...75, 3МГц, 20Вт, DPAK (SMD) (компл. MJD41C) Транзистори | auf Bestellung 2253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD42C Produktcode: 185058
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD42C | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1575 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD42C-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C-QJ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 6A PNP HI PWR BJT | auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD42C-QJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C-QJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 1156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD42C-QJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C-QJ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C-QJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Power - Max: 1.25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C1 | On Semiconductor | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C1 | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | auf Bestellung 4986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD42C1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | auf Bestellung 4986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD42C1 | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1575 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD42C1 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C1G Produktcode: 170554
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD42C1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD42C1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD42C1G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD42C1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP | auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD42C1G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42C1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD42CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD42CG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP | auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD42CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD42CG | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 15...75 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 3MHz | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD42CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42CG Produktcode: 212893
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| MJD42CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 3075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD42CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42CG | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | auf Bestellung 7741 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD42CHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 100V 6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42CHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD42CJ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD42CJ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.6 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
