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SQM85N15-19_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6285 pF @ 25 V

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SQM85N15-19_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs 150V 85A 375W AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 6320 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.58 EUR
10+	5.84 EUR
100+	4.74 EUR
500+	3.97 EUR
800+	3.37 EUR

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SQM85N15-19_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6285 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SQM90142E_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.49 EUR
1600+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SQM90142E_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQM90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 95 A, 0.0127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.47 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SQM90142E_GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 200V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SQM90142E_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified

auf Bestellung 23102 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.03 EUR
10+	4.63 EUR
100+	3.25 EUR
500+	3.14 EUR
800+	2.45 EUR

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SQM90142E_GE3

VISHAY

auf Bestellung 3816 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	8.04 EUR
47+	4.94 EUR
100+	3.47 EUR
500+	2.87 EUR
1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

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SQM90142E_GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 200V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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SQM90142E_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3179 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.95 EUR
10+	4.56 EUR
100+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SQMB10WBR10J

TE Connectivity Passive Product

Description: SQMB10 R10 (WIRE) 5%
Resistance: 100 mOhms
Height - Seated (Max): 1.181" (30.00mm)
Number of Terminations: 2
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Composition: Wirewound
Size / Dimension: 0.787" L x 0.394" W (20.00mm x 10.00mm)
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Package / Case: Radial
Features: Cement Coated, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety
Tolerance: ±5%
Power (Watts): 10W
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1200 Stücke

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SQMB10WBR11J