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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
VS-GT100LA65UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT100LA65UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 94 A, 230 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 94A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100LA65UFVishayIGBT Modules SOT227 650V 100A LS CHOPPR
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.52 EUR
10+53.13 EUR
100+44.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100LA65UFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA
Power - Max: 230 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single Chopper
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100NA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 463 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TP120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.8 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 652 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TP60NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TP60NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 160A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.71 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 417 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Part Status: Last Time Buy
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065NVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109 EUR
10+101.97 EUR
105+87.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065NVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT100TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 96A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 259 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+108.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065SVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+126.54 EUR
10+104.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT100TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 247 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 247A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100TS065SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 247 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 517 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+125.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT100YG120UTVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - ECONO IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT105LA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 463 W
Current - Collector Cutoff (Max): 75 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT105NA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 463 W
Current - Collector Cutoff (Max): 75 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT120DA65UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 167A 577W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 577 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT120DA65UVishay SemiconductorsIGBT Transistors SW Mod SOT-227 IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT140DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 200A 652W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 652 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT140DA60UVishay SemiconductorsIGBTs 600 Volt 140 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT150TS065SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 372A INTA-PAK IGBT
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 372 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 789 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+145.11 EUR
15+118.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT150TS065SVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+144.5 EUR
10+123.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT150TS065SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT150TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 372 A, 789 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 372A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT150YG120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - ECONO IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT175DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 288A 1087W SOT227
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 1087 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 288 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT175DA120UVishayIGBT Modules Output & SW Modules - SOT-227 IGBT
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT180DA120UVishay SemiconductorsIGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
auf Bestellung 547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.19 EUR
10+59.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT180DA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: 1.087kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.087kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 281A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 281A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT180DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 281A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 281 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.7 EUR
10+57.09 EUR
100+50.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TP065NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TP065NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065NVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT200TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 193 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 193A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065NVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+139.13 EUR
10+121.92 EUR
105+103.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 517 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 193 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+131.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065SVishay SemiconductorsIGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+162.22 EUR
10+155.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - IAP IGBT
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 1000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 476 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+160.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT200TS065SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: INT-A-PAK
Dauerkollektorstrom: 476A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT250SA60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 359A 750W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.16V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 359 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.2 nF @ 25 V
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.31 EUR
10+48.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT250SA60SVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT250SA60S - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 359 A, 750 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 750W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 359A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 228 Stücke:
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VS-GT250SA60SVishayIGBT Modules Modules IGBT - SOT-227 IGBT
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VS-GT300FD060NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
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VS-GT300FD060NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 379A INT-A-PAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 379 A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 23.3 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 1250 W
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Dual INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 300A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Dual INT-A-PAK (4 + 8)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT300TD60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 580A INT-A-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.47V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 466 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 882 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.2 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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VS-GT300TD60SVishayIGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT
auf Bestellung 11 Stücke:
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1+340.58 EUR
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VS-GT300YH120NVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: Dual INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 720A
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
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VS-GT300YH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
auf Bestellung 7 Stücke:
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12+373.91 EUR
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VS-GT300YH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Power - Max: 1042 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 341 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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VS-GT400LH060NVishayIGBT Modules INT-A-PAK 600V 400A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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VS-GT400LH060NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 492A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 492 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1363 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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VS-GT400TD60SVishayIGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT
auf Bestellung 7 Stücke:
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1+431.68 EUR
10+345.33 EUR
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VS-GT400TD60SVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 400A
Case: Dual INT-A-Pak LP16mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.1kA
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400TD60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 711A INT-A-PAK
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Power - Max: 1364 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 711 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400TH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 600A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2119 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400TH120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 750A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 51.2 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2344 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400TH60NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT400TH60NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 530A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.8 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1600 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 530 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50LA65UFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 163 W
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50LA65UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT50LA65UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 59 A, 163 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 59A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50LA65UFVishayIGBT Modules SOT227 650V 50A LS CHOPPR
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.54 EUR
10+54.86 EUR
100+46.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50TP120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50TP120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.24 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 405 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50TP60NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50TP60NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.03 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 208 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50YF120NTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 64A 231W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 231 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+180.38 EUR
12+154.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT50YF120NTVishay SemiconductorsIGBTs ECONO-4PACK IGBT MODULE
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+182.53 EUR
12+181.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT51YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules MODULES IGBT - ECONO IGBT
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+142.72 EUR
12+118.73 EUR
108+109.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT55LA120UXVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT55LA120UX - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 68 A, 291 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 68A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT55LA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 68A 291W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 291 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.34 EUR
10+38.74 EUR
100+34.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT55LA120UXVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227-LOW SIDE CHOPPER IGBT
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.78 EUR
10+42.72 EUR
100+40.2 EUR
500+37.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT55NA120UXVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT55NA120UX - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 68 A, 291 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 68A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT55NA120UXVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 68A 291W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 291 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.34 EUR
10+38.74 EUR
100+34.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT55NA120UXVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227-HI SIDE CHOPPER IGBT
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.78 EUR
10+40.2 EUR
500+37.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT600TH060SVishayIGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75LA60UFVishayIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.3 EUR
10+55.49 EUR
20+53.63 EUR
50+51.81 EUR
100+50.04 EUR
160+46.24 EUR
480+46.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75LA60UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT75LA60UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 81 A, 231 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 81A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75LP120NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 150A 543W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75NA60UFVishayIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.99 EUR
10+52.68 EUR
100+46.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75NA60UFVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT75NA60UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 81 A, 231 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 81A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75NP120NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75YF120NTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 431 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+187.37 EUR
12+161.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Transistors ECONO - 4 PACK IGBT
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+207.54 EUR
12+192.14 EUR
252+180.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75YF120UTVishay SemiconductorsIGBT Transistors ECONO - 4 PACK IGBT
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+216.67 EUR
12+200.6 EUR
252+188.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT75YF120UTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 118A 431W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 431 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+204.67 EUR
12+179.5 EUR
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VS-GT76YF120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules MODULES IGBT - ECONO IGBT
auf Bestellung 6 Stücke:
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1+185.49 EUR
12+154.3 EUR
108+142.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT80DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 139 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 658 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.79 EUR
10+46.04 EUR
100+39.58 EUR
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VS-GT80DA120UVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 80A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 170A
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT80DA120UVishay SemiconductorsIGBT Modules 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
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VS-GT80DA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
Dauer-Kollektorstrom: 139A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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VS-GT80DA60UVishay SemiconductorsIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.34 EUR
10+40.3 EUR
25+37.61 EUR
50+36.43 EUR
100+35.25 EUR
250+32.91 EUR
480+30.25 EUR
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VS-GT80DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 123A 454W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 454 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.8 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT90DA120UVISHAYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 106A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 106A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 350A
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT90DA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT90DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 169 A, 781 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 781W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 169A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT90DA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 169A 781W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 169 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 781 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.28 EUR
10+56.71 EUR
100+49.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT90DA120UVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT +
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.22 EUR
10+43.3 EUR
100+40.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT90DA60UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT90DA60U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 146 A, 446 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 146A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT90DA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 146 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 446 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT90DA60UVishayIGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.86 EUR
10+50.85 EUR
100+44.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT90SA120UVISHAYDescription: VISHAY - VS-GT90SA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 169 A, 781 W, 150 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Verlustleistung: 781W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-227
Dauerkollektorstrom: 169A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT90SA120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 169A 781W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 169 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 781 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.6 EUR
10+49.83 EUR
100+43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GT90SA120UVishay SemiconductorsIGBTs SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.57 EUR
10+53.61 EUR
100+50.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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