Produkte > 2SC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| 2SCR544PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3 Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 280MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR544PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 80V, 2.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR544PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR544PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 80V, 2.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2.5A Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-89 NPN 80V 2.5A MID-PWR | auf Bestellung 2908 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR544PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 2.5A Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 157 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544R | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 80V, 2500mA, NPN | auf Bestellung 7439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR544R | Diotec | ; 80В; 2,5А; 500мВт; SOT23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544R | Diotec Semiconductor | Description: BJT SOT23 80V 2500MA NPN 1W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR544R | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW T/R | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544R | Diotec Semiconductor | Description: BJT SOT23 80V 2500MA NPN 1W Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 280MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544R | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2.5A; 500mW; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 280MHz Case: SOT23 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 2.5A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 120...390 | auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544RHZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 80V 2.5A, Driver Transistor | auf Bestellung 2394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR544RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A TSMT3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 280MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 18610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544RTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver | auf Bestellung 1247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR544RTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR544RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR544RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544RTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2.5A; 500mW; SC96 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 280MHz Case: SC96 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 2.5A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 120...390 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR544RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544RTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR544RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2.5A Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR544RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR552P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR552P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR552P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 280MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 128344 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR552P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR552P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR552P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR552P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 280MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 127000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR552P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR552P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3 | auf Bestellung 1452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR552P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 329 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR552PFRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 3A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 280MHz Case: SC62; SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 3A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 200...500 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR552PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR552PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 3A 200 to 500hFE 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR552PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON | auf Bestellung 713 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR552PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 3A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR552PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 30V 3A, Middle Power Transistor | auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR552PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR552PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR552PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR552PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR552PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 3A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR552PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR552PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR552PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR552PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR552PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR552PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT I2C BUS 2Kbit EEPROM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR552PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR552PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 2A Ic MPT3 | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 6544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 500mW; SC62,SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 2A Case: SC62; SOT89 Current gain: 180...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 360MHz Power dissipation: 0.5W | auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 182 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2018 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PFRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 360MHz Case: SC62; SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 2A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 180...450 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 94 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 2A 180 to 450hFE 50V | auf Bestellung 4495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-89 NPN 50V 2A MID-PWR | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 278 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 2A Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR553RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RHZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 50V 2A, Middle Power Transistor for Automotive | auf Bestellung 2824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 1W Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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