Produkte > 2SC

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 127 128 129 130 131 132 133 134 135  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
408+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 408 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 2A Ic MPT3
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.3 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
238+0.98 EUR
370+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 6544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
280+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.7 EUR
238+0.98 EUR
370+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 500mW; SC62,SOT89
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 180...450
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Frequency: 360MHz
Collector current: 2A
Mounting: SMD
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.02 EUR
118+0.73 EUR
149+0.57 EUR
215+0.39 EUR
265+0.32 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
24+0.89 EUR
100+0.61 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PFRAT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 360MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...450
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 2A 180 to 450hFE 50V
auf Bestellung 4495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.86 EUR
289+0.58 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
20+1.11 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-89 NPN 50V 2A MID-PWR
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.08 EUR
100+0.98 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.42 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
727+0.24 EUR
755+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 727 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 2A Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
473+0.37 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 473 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
837+0.2 EUR
877+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 837 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
299+0.77 EUR
463+0.46 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.92 EUR
28+0.75 EUR
100+0.57 EUR
250+0.49 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 50V 2A, Middle Power Transistor for Automotive
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 1W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
299+0.77 EUR
463+0.46 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.42 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
250+0.93 EUR
390+0.55 EUR
559+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.71 EUR
378+0.45 EUR
503+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3
auf Bestellung 2707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
568+0.3 EUR
620+0.27 EUR
728+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 568 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
250+0.93 EUR
390+0.55 EUR
559+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
530+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 530 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+0.7 EUR
254+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 19735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.79 EUR
344+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.27 EUR
3000+0.26 EUR
5000+0.24 EUR
10000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
228+1.02 EUR
365+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.42 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
228+1.02 EUR
365+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.35 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
511+0.33 EUR
530+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 511 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 1.5A 120 to 390hFE 80V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
31+0.69 EUR
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 1.5A, Medium Power Transistor
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
155+1.5 EUR
236+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.94 EUR
190+0.89 EUR
192+0.87 EUR
263+0.62 EUR
293+0.55 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
393+0.44 EUR
395+0.43 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 393 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
155+1.5 EUR
236+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 1.5A Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 80V 1.5A, Driver Transistor
auf Bestellung 2274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.45 EUR
100+0.35 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+0.35 EUR
589+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+0.26 EUR
720+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
548+0.31 EUR
616+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 548 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.25 EUR
10+1.06 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.39 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.56 EUR
10+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.58 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+0.88 EUR
238+0.71 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.78 EUR
216+1.07 EUR
320+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 270MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.6 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 6A; 1W; DFN2020-3
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 270MHz
Case: DFN2020-3
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.25 EUR
309+0.75 EUR
457+0.46 EUR
503+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 270MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.84 EUR
250+0.8 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
117+2 EUR
175+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 127 128 129 130 131 132 133 134 135  Nächste Seite >> ]