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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
250+0.93 EUR
390+0.55 EUR
559+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.73 EUR
378+0.46 EUR
503+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3
auf Bestellung 2707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
568+0.31 EUR
620+0.29 EUR
728+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 568 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
250+0.93 EUR
390+0.55 EUR
559+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
530+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 530 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
228+1.02 EUR
365+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.35 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
511+0.35 EUR
530+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 511 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 19735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.8 EUR
344+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
5000+0.25 EUR
7000+0.24 EUR
10000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
228+1.02 EUR
365+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.43 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
31+0.69 EUR
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 1.5A 120 to 390hFE 80V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
393+0.45 EUR
395+0.44 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 393 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
155+1.5 EUR
236+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 1.5A, Medium Power Transistor
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.79 EUR
250+0.74 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.96 EUR
190+0.92 EUR
192+0.89 EUR
263+0.63 EUR
293+0.56 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
155+1.5 EUR
236+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
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2SCR554PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 1.5A Transistor
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2SCR554RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101
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2SCR554RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 80V 1.5A, Driver Transistor
auf Bestellung 2274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.45 EUR
100+0.35 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
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2SCR554RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101
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2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
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548+0.32 EUR
552+0.31 EUR
616+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 548 Stücke
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2SCR554RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
auf Bestellung 1396 Stücke:
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3+1.25 EUR
10+1.06 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
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3000+0.39 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2164 Stücke:
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355+0.5 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+0.36 EUR
497+0.35 EUR
589+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+0.27 EUR
720+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.25 EUR
309+0.75 EUR
457+0.46 EUR
503+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.56 EUR
10+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.58 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+0.9 EUR
238+0.73 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 270MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.78 EUR
216+1.07 EUR
320+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 270MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.6 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 6A; 1W; DFN2020-3
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 270MHz
Case: DFN2020-3
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR562F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 3052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.93 EUR
135+1.29 EUR
185+0.92 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
117+2 EUR
175+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
117+2 EUR
175+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR563F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small and Excellent Thermal Conductivity, NPN 6A 50V Middle Power Transistor
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.56 EUR
100+1.12 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.74 EUR
6000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
162+1.44 EUR
228+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 4A 80V MID-PWR TRANS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
auf Bestellung 5939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
162+1.44 EUR
228+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR564F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.17 EUR
250+1.11 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
125+1.86 EUR
169+1.27 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANSISTOR
auf Bestellung 5080 Stücke:
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2+2.31 EUR
10+1.88 EUR
100+1.46 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.06 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 2.5A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRROHMDescription: ROHM - 2SCR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
125+1.86 EUR
169+1.27 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 2.5A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.14 EUR
250+1.08 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR567F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
10+2.5 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
83+2.81 EUR
128+1.68 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.89 EUR
200+0.87 EUR
207+0.82 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATL
Produktcode: 172762
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.11 EUR
10+2.26 EUR
100+1.67 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
128+1.68 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.68 EUR
110+1.58 EUR
250+1.48 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
153+1.52 EUR
216+0.99 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE
auf Bestellung 6033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
153+1.52 EUR
216+0.99 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 5A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.67 EUR
282+0.62 EUR
283+0.61 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
7500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.69 EUR
274+0.63 EUR
275+0.62 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR572DGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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