Produkte > 2sc
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 2A Ic MPT3 | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 6544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 500mW; SC62,SOT89 Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 180...450 Kind of package: reel; tape Case: SC62; SOT89 Frequency: 360MHz Collector current: 2A Mounting: SMD | auf Bestellung 868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 182 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR553P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2018 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR553PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PFRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 360MHz Case: SC62; SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 2A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 180...450 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR553PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 94 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR553PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 2A 180 to 450hFE 50V | auf Bestellung 4495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 278 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR553PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-89 NPN 50V 2A MID-PWR | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 93 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR553PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 2A Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR553PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR553RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553RHZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 50V 2A, Middle Power Transistor for Automotive | auf Bestellung 2824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 1W Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 1491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR553RTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3 | auf Bestellung 2707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR553RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR553RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 1769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR554P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 3435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR554P5T100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 300MHz Case: SC62; SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 120...390 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 19735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR554P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 209 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3 | auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR554PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3 Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 1.5A 120 to 390hFE 80V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR554PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 1.5A, Medium Power Transistor | auf Bestellung 1752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR554PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5A Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 3850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 1.5A Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 136 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554RHZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 80V 1.5A, Driver Transistor | auf Bestellung 2274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR554RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 2164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR554RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 1276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TSMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR554RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3 Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR554RTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver | auf Bestellung 1396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR562F3 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR562F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 270MHz Supplier Device Package: HUML2020L3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR562F3TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR562F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR562F3TR | ROHM | Description: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: HUML2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 270MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR562F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3 Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 270MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR562F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 43 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR562F3TR | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 6A; 1W; DFN2020-3 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 270MHz Case: DFN2020-3 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 6A Power dissipation: 1W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 200...500 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR562F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SCR562F3TR | ROHM | Description: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: HUML2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 270MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR562F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR563F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR563F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR563F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R | auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR563F3TR | ROHM | Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.1W euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6A Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR563F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR563F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
