Produkte > RN2
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| RN2409,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2409,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2409,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2409,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2409LF(T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2409LXGF(T | Toshiba | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2410 | TOSHIBA | SOT-23 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2410(TE85L,F) | TOSHIBA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 4.7kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ | auf Bestellung 2065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2410,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2410,LF | Toshiba | Digital Transistors 4.7kohm 50V 0.1A TO-236MOD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2410,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2410,LXHF | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2410,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2410,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) | auf Bestellung 5980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2410,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2410,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2410,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2410,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2410,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2410/YK | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 39018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2410T5LFT | Toshiba | Digital Transistors PNP 50V 0.1A TRANSISTOR LOG | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2411(TE85R) | TOSHIBA | SOT23-YM | auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2411(TE85R) SOT23-YM | TOSHIBA | auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN2411(TE85R) SOT23-YM | TOSHIBA | auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN2411(TE85R)SOT23-YM | auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2411,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | auf Bestellung 11889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2411,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2411,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2411,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2411,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2411,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2411,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2411,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2411,LXHF | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2411,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2411,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2411,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2411,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2411/DTA114TK | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 36018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2412 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2412,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2412,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Qualification: AEC-Q101 Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2412,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Resistor - Base (R1): 22 kOhms | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2412,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2412,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2412,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2412,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2412TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI | auf Bestellung 2849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2412TE85LF | Toshiba | Digital Transistors PNP 50V 0.1A TRANSISTOR LOG | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2412TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2412TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI | auf Bestellung 2849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2413 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2413,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2413,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2413,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2413TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2413TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2413TE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 0.1A TRANSISTOR LOG | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2413TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2414 | TOSHIBA | SOT23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2414(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 1kohm/10kohm 50V .1A TO-236MOD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2414TE85L | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2415(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2415,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) | auf Bestellung 5985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2415,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2415,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2415,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2415,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2415,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2415,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2415/YS | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN2416 | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 74218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2416,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2416,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2416,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package | auf Bestellung 8799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2416,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) | auf Bestellung 5985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2416,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2416,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2416,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2416,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2416,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2416,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2417 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN2417(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 4.7kohm 0.1A TO-236MOD 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2417,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2417,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2417,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Grade: Automotive Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2417,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2417,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2417,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN2417,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2418(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 2820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN2418,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package | auf Bestellung 10799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2418,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2418,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN2418,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2418,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: S-Mini Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN2418,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN242-0.5-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 82MH 500MA 2LN TH Inductance @ Frequency: 82 mH @ 10 kHz DC Resistance (DCR) (Max): 2.7Ohm (Typ) Current Rating (Max): 500mA (Typ) Voltage Rating - AC: 250V Height (Max): 1.362" (34.60mm) Approval Agency: UR, VDE Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Number of Lines: 2 Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) Filter Type: Power Line Package / Case: Vertical, 4 PC Pin Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN242-0.5-02-82M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 82MH 500MA 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Vertical, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 1.362" (34.60mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 500mA DC Resistance (DCR) (Max): 2.7Ohm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 82 mH @ 10 kHz | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN242-0.5-02-82M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.5A 82mH 2700mOhm Vertical Choke | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN242-0.5-02-82M | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 0.5A 82mH 2700mOhm Vertical Choke | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN242-1-02 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 33MH 1A 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Vertical, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 1.362" (34.60mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 1A (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 810mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 33 mH @ 1 kHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN242-1-02-33M | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 1A 33mH 810mOhm Vertical Choke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN242-1-02-33M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 33MH 1A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Vertical, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 1.362" (34.60mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 1A DC Resistance (DCR) (Max): 810mOhm (Typ) Part Status: Active Inductance @ Frequency: 33 mH @ 10 kHz | auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN242-1-02-33M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 1A 33mH 810mOhm Vertical Choke | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN242-1-02-33M | TE Connectivity | Common Mode Chokes Dual 33000uH 10kHz 1A 0.81Ohm DCR Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN242-1-02-33M | TE Connectivity | Common Mode Chokes Dual 33000uH 10kHz 1A 0.81Ohm DCR Thru-Hole | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN242-1.4-02 | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 27MH 1.4A 2LN TH Packaging: Tray Package / Case: Vertical, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Approval Agency: UR, VDE Height (Max): 1.362" (34.60mm) Voltage Rating - AC: 250V Current Rating (Max): 1.4A (Typ) DC Resistance (DCR) (Max): 500mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 27 mH @ 1 kHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN242-1.4-02-27M | TE Connectivity | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 1.4A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN242-1.4-02-27M | TE Connectivity / Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 1.4A 27mH 500mOhm Vertical Choke | auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN242-1.4-02-27M | TE Connectivity Schaffner | Description: CMC 27MH 1.4A 2LN TH Packaging: Tube Package / Case: Vertical, 4 PC Pin Filter Type: Power Line Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) Mounting Type: Through Hole Number of Lines: 2 Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Approval Agency: ENEC, UR, VDE Height (Max): 1.362" (34.60mm) Voltage Rating - AC: 300V Current Rating (Max): 1.4A DC Resistance (DCR) (Max): 500mOhm (Typ) Inductance @ Frequency: 27 mH @ 10 kHz | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN242-1.4-02-27M | Schaffner | Common Mode Chokes / Filters 1.4A 27mH 500mOhm Vertical Choke | auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN242-1.4-02-27M | TE Connectivity | Common Mode Chokes Dual 27000uH 10kHz 1.4A 0.5Ohm DCR Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN242-1.4-02-27M : 816576 | Schaffner | RN242-1.4-02-27M : 816576 RN242-1.4-02-27M 27mH 2-Line Common Mode Choke 1.4A DCR 500 mOhm (Typ) Протизавадні фільтри | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN242-2-02 | Schaffner EMC Inc. | Description: CMC 6.8MH 2A 2LN TH Inductance @ Frequency: 6.8 mH @ 1 kHz DC Resistance (DCR) (Max): 190mOhm (Typ) Current Rating (Max): 2A (Typ) Voltage Rating - AC: 250V Height (Max): 1.362" (34.60mm) Approval Agency: UR, VDE Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Number of Lines: 2 Mounting Type: Through Hole Size / Dimension: 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) Filter Type: Power Line Package / Case: Vertical, 4 PC Pin Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
