Produkte > JAN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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| JANS2N2222A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AL | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.8A Case: TO18 Mounting: THT Power dissipation: 0.5W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AL/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUA | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 650mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.8A Mounting: SMD Power dissipation: 0.65W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUA/TR | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 650mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.8A Mounting: SMD Power dissipation: 0.65W Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUB | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.8A Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUB/TR | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.8A Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUBC | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBC Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2222AUBC/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBC Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 400NA TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AU | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 6LCC Packaging: Bulk Package / Case: 6-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: 6-LCC Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AUA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 400NA UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT SMT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AUB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 20V UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 20V UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AUBC | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 20V 3SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UBC Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2369AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/376 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 3-Pin TO-18 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW NPN Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW NPN Small-Signal BJT SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/376 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484UB | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 4-Pin Case UB Waffle | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANS2N2484UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/376 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/376 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484UBC | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/376 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484UBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484UBC | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 4-Pin Case UBC Waffle | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484UBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2484UBC/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UBC Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2857 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2857 | Semicoa Semiconductors | Polarity NPN Low power, ultra-high frequency transistor. | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2857UB | Semicoa Semiconductors | Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 200mW 4-Pin Case UB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2857UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2857UB-LC | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V UB Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Qualification: MIL-PRF-19500/343 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2904 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2904 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2904A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2904A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2904A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2904AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Long-Lead Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2904AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2905 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2905 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2905A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2905A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2905A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2905AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2905AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2905AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUB | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUBC | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UBC Packaging: Bulk Package / Case: 3-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUBC | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UBC Waffle | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2906AUBC/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UBC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2907A | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Case: TO18 Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2907A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANS2N2907A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2907A/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2907AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2907AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2907AL | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Case: TO18 Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2907AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2907AUA | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2907AUA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2907AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| JANS2N2907AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT SMT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |