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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N3549AMOTOROLA
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2N354AMOTOROLA
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2N355MOTOROLA
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2N3550MOTCAN
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2N3553ON
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2N3554MOTOROLA
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2N3554AMOTOROLA
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2N3554SMOTOROLA
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2N3555MOTCAN
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2N3556MOTCAN
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2N3559MOTCAN
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2N355AMOTOROLA
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2N356MOTOROLA
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2N3561MOTOROLA
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2N3562MOTOROLA
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2N3563MOTOROLA
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2N3563Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 12V TO106
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-106-3 Domed
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: TO-106
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
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2N3563Central Semiconductor
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2N3564MOTOROLA
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2N3564Central Semiconductor CorpDescription: TRANSISTOR NPN TO-106
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2N3565MOT
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2N3565Central Semiconductor CorpDescription: TRANSISTOR NPN TO-106
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2N3565 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 25Vceo 30Vcbo 6.0Vebo 500mA 625mW
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1+11.19 EUR
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2N3565 PBFREE
Produktcode: 202782
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Steckverbinder, Reihenklemmen > DVI, HDMI, VGA
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2N3566MOTOROLA
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2N3567MOTOROLA
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2N3568MOTOROLA
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2N3568 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 500mA 350mW
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2N3568 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW TO-105
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10+24.23 EUR
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2N3569MOTOROLA
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2N356AMOTOROLA
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2N357MOTOROLA
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2N3570TI
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2N3572VISHAY
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2N3573MOTOROLA
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2N3574MOTOROLA
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2N3575MOTOROLA
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2N3576MOTOROLA
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2N357AMOTOROLA
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2N358MOTOROLA
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2N3580MOTOROLA
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2N3582MOTOROLA
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2N3583MOT
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2N3583Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3583NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - 2N3583 - TRANSISTOR, NPN, 175V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-66
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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2N3583Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 175V 1A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 35 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3583TO-66 Транзистори
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2N3583Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N3583Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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2N3583 LEAD FREEonsemiBipolar Transistors - BJT
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2N3583 LEADFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN High Power
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2N3583 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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2N3583 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 175V 1A TO-66
Power - Max: 35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-66
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 125mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Tube
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2N3583 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN High Power
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2N3583 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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2N3583 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 250Vcbo 175Vceo 6.0Vebo 1.0A 35W
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2N3584Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 250V 2A 2.5W Power BJT THT
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2N3584MOT98+ TO-66
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2N3584Semelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 250V 2A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
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2N3584CicorBipolar Transistors - BJT
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2N3584Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 250V 2A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3584Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 2.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3584Centralsemi2N3584 NPN, Uкэ=250V, Iк=2A, 35Вт, 10МГц, TO-66 Транзистори
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2N3584 (Transistor)
Produktcode: 52652
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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2N3584 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 250V 2A TO-66
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Tube
Power - Max: 35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-66
Frequency - Transition: 10MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3584 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN High Power
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3584 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 375Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 2.0A 35W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3584 TIN/LEADCentral Semiconductor2N3584 TIN/LEAD
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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2N3585Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 300V 2A 2.5W Power BJT THT
auf Bestellung 85 Stücke:
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1+51.34 EUR
10+51.31 EUR
25+51.29 EUR
100+47.67 EUR
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2N3585Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3585Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 300V 2A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3585MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
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2N3585Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 300V 2A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3585
Produktcode: 173154
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-66
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 300 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 500 В
Kollektorstrom Ic, A: 2 А
Bemerkung: THT
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3585 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN High Power
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3585 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 300V 2A TO-66
Power - Max: 35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-66
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3585 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 500Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 2.0A 35W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3585PMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 2A TO66
Power - Max: 2.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3585PMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 300V 2A 2.5W PinD Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3586MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3587MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3588MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N358AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N359MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3591MOTCAN
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3592MOTCAN
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3597Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3597Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Packaging: Bulk
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-63
Transistor Type: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3598Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3598Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Packaging: Bulk
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-63
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3599Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package: TO-63
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3599Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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