Technische Details 2N3583 MOT
Description: TRANS NPN 175V 0.01A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 10 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 35 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2N3583 | Hersteller : SSI | 0546 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N3583 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
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2N3583 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
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2N3583 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
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2N3583 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 175V 0.01A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 10 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 35 W |
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| 2N3583 | Hersteller : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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