Technische Details 2N3583 MOT
Description: TRANS NPN 175V 1A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 35 W.
Weitere Produktangebote 2N3583
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| 2N3583 |
 TO-66 Транзистори |
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2N3583 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 175V 1A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 35 W |
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2N3583 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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2N3583 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - 2N3583 - TRANSISTOR, NPN, 175V Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 Verlustleistung: 35 Bauform - Transistor: TO-66 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 20 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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2N3583 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
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2N3583 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
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| 2N3583 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 175V 1A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 35 W
Description: TRANS NPN 175V 1A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 35 W
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| 2N3583 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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| 2N3583 |
Hersteller: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - 2N3583 - TRANSISTOR, NPN, 175V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-66
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - 2N3583 - TRANSISTOR, NPN, 175V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-66
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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| 2N3583 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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| 2N3583 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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