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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTD65N03RT4
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03RT4GON07+;
auf Bestellung 69950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD65N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
auf Bestellung 123250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6600N
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6600NON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1050 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6600N-001ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1050 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6600N-1GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 617 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6600N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6600NT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6600NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6600NT4GON07+;
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6N10
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6N15
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6N40MotorolaDescription: TRANS MOSFET N-CH 400V 6A 3-PIN(
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6N40onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6N40-001onsemiDescription: NFET DPAK 400V 1.1R
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
233+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6N40-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6N40-001 - NFET DPAK 400V 1.1R
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6N40-001-MOMotorolaDescription: NFET DPAK 400V 1.1R
Packaging: Bulk
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
233+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6N40T4onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
888+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 888 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6N40T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6N40T4 - 6A, 400V, 1.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD6P10E
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03R - NTD70N03R, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2475+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2475 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
auf Bestellung 45125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1397+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RON07+ SOT-252
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RonsemiMOSFETs 25V 75A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03R-001 - NTD70N03R-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2475+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2475 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
auf Bestellung 4541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1397+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03R-1onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 10125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1397+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03R-1ON0642+
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03R-1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03R-1 - NTD70N03R-1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2466+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03R-1G
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03R-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03R-1G - NTD70N03R-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 141782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
900+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
auf Bestellung 141782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
505+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RG
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
auf Bestellung 8591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RGONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03RG - NTD70N03RG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1950+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RT4
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03RT4 - NTD70N03RT4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 35298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
auf Bestellung 35298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1069+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
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NTD70N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 72 A, 0.0056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 782057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTD70N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03RT4G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD70N03T4ON05+
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD70N03T4G
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD70N03TR4ON07+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD75N03RT4G
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD78N03ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTD78N03
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD78N03-001ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTD78N03-035onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD78N03-1G
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD78N03-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
auf Bestellung 7090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1255 Stücke
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NTD78N03-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD78N03-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD78N03-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 12 V
auf Bestellung 201063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1158+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
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NTD78N03-35G0N0626+
auf Bestellung 696 Stücke:
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NTD78N03-35G(Transistor)
Produktcode: 46086
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UKTZED: 8542 31 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
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NTD78N03G
auf Bestellung 25200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD78N03NT4G
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTD78N03R-001onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1519+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03R-035onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1519+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03R-035ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD78N03R-035 - NTD78N03R-035, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1725+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03R-1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03R-35GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1519+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03RGonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1575+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1575 Stücke
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NTD78N03RT4
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03RT4G
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03T4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
auf Bestellung 268899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD78N03T4G
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD8-MINI-13MDescription: NOTED BY POST-IT, MINI NOTES, MI
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD8-PEN-23MDescription: NOTED BY POST-IT BRAND NTD8-PEN-
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02ON07+ SOT-252
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD80N02-001 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 526735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 514653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
666+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 666 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02-1GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 58655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD80N02-1G - NTD80N02-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 58655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1350+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02GonsemiMOSFET 24V 80A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02GONTO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02RONSOT-252
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02RT4G
auf Bestellung 12368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD80N02T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD80N02T4 - NTD80N02T4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25023 Stücke:
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2500+0.39 EUR
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NTD80N02T4ONTO-252/D-PAK
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NTD80N02T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
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