Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IRFP27N60KPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP27N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.22 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP27N60KPBF Produktcode: 91814
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP27N60KPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP27N60KPBF | HEXFET TO247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP27N60KPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP27N60KPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP2907 | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP2907 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP2907 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP2907 Produktcode: 28880
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 209 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/620 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 789 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC | auf Bestellung 6873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP2907PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP2907PBF Produktcode: 60422
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В Drain-Strom Idd, A: 209 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/410 Montage: THT | auf Bestellung: 69 St.
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| IRFP2907PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 209A TO-247AC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 14207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 14207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP2907PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 470W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | auf Bestellung 733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP2907PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 209 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 25, Qg, нКл = 620 @ 10 В, Rds = 4,5 мОм @ 125 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 470 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 789 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | auf Bestellung 9072 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP2907PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: PLANAR 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP2907PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFP2907PBFXKMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 90A 4.5mOhm 180nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP2907ZPBF Produktcode: 48264
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В Drain-Strom Idd, A: 90 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7500/180 Montage: THT | auf Bestellung: 13 St.
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| IRFP2907ZPBF | International Rectifier | IRFP2907ZPBF Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3006 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP3006 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 151675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 297951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3006PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 60V 257A TO247 | auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP3006PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3006PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET UP TO 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3006PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3006PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm | auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3006PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP3077 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3077PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3077PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 200A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 3.3mΩ Power dissipation: 340W Gate charge: 160nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077PBF Produktcode: 24931
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 120 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160 Montage: THT | auf Bestellung: 41 St.
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| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 6465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 200 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 340W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3077PBFXKMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 200A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP31N50 | IR | 2002 TO-247 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP31N50L | IR | TO-3PL | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP31N50L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP31N50LPBF Produktcode: 52445
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP31N50LPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP31N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 31 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP31N50LPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP31N50LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 31A N-CH MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP31N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3205 Feldeffekttransistor Produktcode: 109766
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP3205PBF | IR | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP3206 Produktcode: 99502
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 120 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,4 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6540/120 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP3206 | International Rectifier | Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3206; IRFP3206; IRFP3206 TIRFP3206 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP3206 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3206PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3206PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |