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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.25 EUR
30+5.9 EUR
50+5.55 EUR
100+5.24 EUR
250+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.13 EUR
100+2.93 EUR
400+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBFInternational RectifierTO-247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.27 EUR
43+5.4 EUR
100+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFP3206PBFXKMA1
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+3.39 EUR
500+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3206PBFXKMA1Infineon Technologies IR FET UP TO 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP32N50K
Produktcode: 57713
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 32 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5280/190
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+5.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP32N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP32N50KSiliconixTransistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+20.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP32N50KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP32N50KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 32A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP32N50KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP32N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 32 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP32N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP32N50KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP32N50KPBFТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306International RectifierN-MOSFET HEXFET 120A 60V 220W 0.0042Ω IRFP3306 TIRFP3306
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.31 EUR
25+6.89 EUR
50+6.49 EUR
100+6.13 EUR
250+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP3306PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
auf Bestellung 1722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
25+4.76 EUR
100+3.89 EUR
400+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBF
Produktcode: 1056
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4520/85
Montage: THT
auf Bestellung: 3 St.
  • 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4.12 EUR
10+3.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBFXKMA1Infineon Technologies60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.79 EUR
49+3.56 EUR
100+2.31 EUR
400+2.19 EUR
800+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBFXKMA1Infineon Technologies60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.44 EUR
48+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBFXKMA1Infineon Technologies60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFP3306PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.34 EUR
41+5.69 EUR
100+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBFXKMA1Infineon Technologies60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.75 EUR
49+3.45 EUR
100+2.2 EUR
400+2.06 EUR
800+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.23 EUR
10+5.38 EUR
100+3.8 EUR
400+3.14 EUR
800+3.12 EUR
2400+3.01 EUR
4800+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340HARRISIRFP340
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.78 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
178+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340HARRISIRFP340
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340A
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340PBF
Produktcode: 152111
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP340PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 11 A, 0.55 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.25 EUR
28+8.43 EUR
100+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP340PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 400V 11A N-CH MOSFET
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+5.78 EUR
25+4.94 EUR
100+4.63 EUR
500+4.61 EUR
5000+4.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP341Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP341
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP341HARRISIRFP341
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
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IRFP3415International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3415 IRFP3415TR IRFP3415 TIRFP3415
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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10+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
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27+6.63 EUR
38+4.59 EUR
100+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRFP3415PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.58 EUR
38+4.47 EUR
100+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
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IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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IRFP3415PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 144.4nCAC
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
25+3.86 EUR
100+3.2 EUR
250+3.19 EUR
400+3.14 EUR
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IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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IRFP3415PBFInternational RectifierТранзистори
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IRFP3415PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.53 EUR
30+2.89 EUR
32+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFP3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+3.28 EUR
500+3.07 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
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IRFP3415PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.29 EUR
59+3.99 EUR
100+3 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFP342(340)International Rectifier(MFET,N-CH,150W,400V,11A,TO-247AC) Транзистори
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IRFP344
auf Bestellung 2522 Stücke:
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IRFP344Vishay / SiliconixMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP344Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 9.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP344PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 9.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350SiliconixN-MOSFET 16A 400V 180W 0.3Ω IRFP350 TIRFP350
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFP350STMicroelectronicsMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, P=190W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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IRFP350Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350LCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP350LCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 400V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.8 EUR
10+11.33 EUR
500+10.26 EUR
1000+9.47 EUR
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IRFP350LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRFP350NPBF
Produktcode: 177245
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFP350PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 400V 16A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350PBF
Produktcode: 75598
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFP350PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP350PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 16 A, 0.3 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.22 EUR
38+6.13 EUR
100+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP350PBF/IRIR08+;
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP351Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP351HARRISIRFP351
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP352HARRISIRFP352
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP352Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP354Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP354PBFVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP354PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFP360SiliconixN-MOSFET 20A 400V 250W 0.2Ω IRFP360 TIRFP360
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IRFP360Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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IRFP360Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRFP360SiliconixN-MOSFET 20A 400V 250W 0.2Ω IRFP360 TIRFP360
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Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP360IXYSMOSFETs 23 Amps 400V 0.2 Rds
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IRFP360LCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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IRFP360LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRFP360LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 400V 23A N-CH MOSFET
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IRFP360LCPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP360LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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IRFP360LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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