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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDC6333CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
94+0.9 EUR
108+0.79 EUR
152+0.56 EUR
176+0.49 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6333C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 960
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 12913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333CONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333ConsemiMOSFETs 30V/-30V N/P
auf Bestellung 23751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.07 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333C-GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V, 185pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V, 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333C-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333C..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6333C.. - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.11 EUR
187+1.25 EUR
287+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333C..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6333C.. - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.11 EUR
187+1.25 EUR
287+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333C_Qonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6335N-NL.FAI
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC633Nonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC633NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC633NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC633N-NLFairchild
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC633N_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634FAIRCHILD07+ SOT23-6
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 20971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+1 EUR
225+0.75 EUR
298+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+1.01 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1370+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 3437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.18 EUR
100+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 10nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1370+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1370+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC634P/634FAIRCHIL09+
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC636FAIRCHILD
auf Bestellung 16100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC636PFAIRCHILDSOT163
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC636PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC636P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6372CFSC
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
auf Bestellung 5839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1089+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1089 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+2.65 EUR
151+1.55 EUR
229+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1089+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1089 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637ANonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
151+1.55 EUR
229+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637AN-NB5E023AonsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2.
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637AN-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637AN/637FAIR
auf Bestellung 20500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637ANNB5E023AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637ANSOT163-637PB-FREEFAIRCHLD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZONS/FAIN-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 6.2A, 24mOm SuperSOT-6 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2195+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZonsemi / FairchildMOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
auf Bestellung 14868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2195+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
auf Bestellung 3132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZonsemiMOSFETs 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
auf Bestellung 3730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.77 EUR
100+0.38 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
269+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
21000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
15000+0.18 EUR
21000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2195+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZ-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.29 EUR
21000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.3 EUR
15000+0.29 EUR
21000+0.26 EUR
30000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 25231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.03 EUR
194+1.2 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.3 EUR
21000+0.29 EUR
30000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.69 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZonsemi / FairchildMOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 12984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+0.5 EUR
427+0.39 EUR
471+0.35 EUR
527+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1574+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.17 EUR
278+0.62 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 18889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZonsemiMOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 7497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.61 EUR
10+0.99 EUR
100+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 25231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.03 EUR
194+1.2 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
427+0.4 EUR
471+0.37 EUR
527+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 427 Stücke
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FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1574+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ-PSBMS001onsemiDescription: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
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FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
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FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
auf Bestellung 354000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
100000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
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FDC638APZ-SBMS001onsemiDescription: LV FET / WBG
Produkt ist nicht verfügbar
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FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
auf Bestellung 365423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
100000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
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FDC638APZ_PSBMS001ON SemiconductorFDC638APZ-PSBMS001
auf Bestellung 22464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1576+0.42 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1576 Stücke
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FDC638APZ_PSBMS001ON SemiconductorFDC638APZ-PSBMS001
auf Bestellung 62400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1576+0.42 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1576 Stücke
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FDC638PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
auf Bestellung 6665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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