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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4409DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4409DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI440SOP-8VISHAY
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4410IOR
auf Bestellung 21119 Stücke:
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SI4410(white)
auf Bestellung 15 Stücke:
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SI4410-5
auf Bestellung 19992 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4410-T1-E3
auf Bestellung 5000 Stücke:
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SI4410A.09+ SOP
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4410AB
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4410AO
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4410AU
auf Bestellung 1373 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4410BDYVishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SI4410BDYVISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4410BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SI4410BDY-E3
Produktcode: 114378
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SI4410BDY-T1Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SI4410BDY-T1VISHAY
auf Bestellung 6924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4410BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
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SI4410BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
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SI4410BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
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SI4410BDY-T1-E3-LVishay / SiliconixMOSFET 30V 10A 2.5W
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SI4410BDY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
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SI4410BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4410BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: To Be Advised
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410BDY-T1-GE3
auf Bestellung 2084 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410BDYT1E3
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410BEY-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si4410DYInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si4410DYNXP SemiconductorsMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si4410DYonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYON SemiconductorSI4410DY
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si4410DYVishay / SiliconixMOSFETs REPLACED WITH SI4410DY-REVA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si4410DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si4410DYonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch. FET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si4410DYonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY+118PHILIPS
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY,518NexperiaMOSFET TAPE13 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY,518NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-A-
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-A-E3
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-REVAVishay / SiliconixMOSFET 30V 10A 2.5W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-REVAVISHAY
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-REVA-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-T1SILICONSOP8
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-T1-A-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-T1-A-E3
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4410DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-T1-JIT
auf Bestellung 13873 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-T1-REV
auf Bestellung 1751 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-T1-REVAVISHAY0
auf Bestellung 5810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-T1-REVAVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-T1-REVA.
auf Bestellung 7380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-T1/REV
auf Bestellung 1686 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-TI
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-TI-REVA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-TR
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DY-Y1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYPBF
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYT1
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYT1REVA
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYTRSI4410DYTR Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYTRPBFIR09+
auf Bestellung 40676 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4410DYTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - SI4410DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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SI4410DYTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
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SI4410DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4410DY_NL
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SI4410TR
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SI4410XDP
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SI4410XDY-T1
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SI4411
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SI4411DYVishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SI4411DY
Produktcode: 75417
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VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: /43
Montage: SMD
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SI4411DYVISHAY
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SI4411DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4411DY-T1-E3VISHAY
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SI4411DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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SI4412SISOP-8
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SI4412A
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SI4412ADYVISHAY07+ SO-8
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SI4412ADY-T1VISHAY0349+
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Si4412ADY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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Si4412ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
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Si4412ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
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Si4412ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
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SI4412ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
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SI4412ADYT1E3VISHAY
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SI4412DYVISHAY
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SI4412DY-T-3E
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SI4412DY-T1-E3VISHAYSO-8
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