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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFR310TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR310TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR310TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 400V 1.7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+1.9 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR310TRPBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFR310TRPBF. - N CHANNEL MOSFET, 400V, 1.7A, D-PAK
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 25
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR310TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR310TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320SiliconixTranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1,8Ohm; 3,1A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR320TR; IRFR320; IRFR320TRL; IRFR320TRR; IRFR320- IRFR320 smd TIRFR320
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320
Produktcode: 30171
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320BFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320MTM
Produktcode: 3504
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FSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 400
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 385/19
JHGF: SMD
verfügbar: 20 St.
    1+0.7 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 400V
    Drain current: 2A
    Pulsed drain current: 12A
    Power dissipation: 42W
    Case: DPAK; TO252
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 1.8Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 20nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 714 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    62+1.16 EUR
    90+0.8 EUR
    104+0.69 EUR
    375+0.65 EUR
    Mindestbestellmenge: 62 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    auf Bestellung 1425 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    97+1.5 EUR
    147+1 EUR
    750+0.88 EUR
    1125+0.8 EUR
    Mindestbestellmenge: 97 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,1, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 20, Rds = 1,8 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2...4 В, Pb-free,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1617 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+4.07 EUR
    10+2.61 EUR
    100+1.79 EUR
    500+1.43 EUR
    1000+1.32 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    auf Bestellung 214 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    145+1.01 EUR
    Mindestbestellmenge: 145 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 400V
    rohsCompliant: Y-EX
    Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 42W
    Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    auf Bestellung 2996 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    auf Bestellung 8247 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    315+0.47 EUR
    332+0.42 EUR
    335+0.41 EUR
    500+0.38 EUR
    1000+0.35 EUR
    3000+0.32 EUR
    Mindestbestellmenge: 315 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
    auf Bestellung 3799 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+2.83 EUR
    10+2.04 EUR
    100+1.12 EUR
    500+0.94 EUR
    1000+0.87 EUR
    3000+0.73 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBF
    Produktcode: 128330
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		VishayTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: D-Pak (TO-252)
    Uds,V: 400 V
    Idd,A: 3,1 A
    Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
    Ciss, pF/Qg, nC: 350/20
    JHGF: THT
    auf Bestellung 644 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    auf Bestellung 8247 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    330+0.44 EUR
    333+0.43 EUR
    500+0.41 EUR
    1000+0.39 EUR
    3000+0.37 EUR
    Mindestbestellmenge: 330 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBFVishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 20, Rds = 1,8 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 2,5, 45, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK Очікується: 200 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
    verfügbar 50 Stücke:
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 400V
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 8639 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+4.17 EUR
    10+2.66 EUR
    100+1.85 EUR
    500+1.57 EUR
    1000+1.38 EUR
    3000+1.3 EUR
    6000+1.24 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TM
    auf Bestellung 10000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR320TRPBF
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TR
    auf Bestellung 1832 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 1158 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+3.89 EUR
    10+2.5 EUR
    100+1.71 EUR
    500+1.37 EUR
    1000+1.36 EUR
    3000+1.1 EUR
    6000+1.08 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 1569 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    98+1.51 EUR
    114+1.27 EUR
    500+1.2 EUR
    1000+0.98 EUR
    Mindestbestellmenge: 98 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 400V
    Drain current: 2A
    Pulsed drain current: 12A
    Power dissipation: 42W
    Case: DPAK; TO252
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 1.8Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 20nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 1518 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    81+0.89 EUR
    106+0.68 EUR
    125+0.57 EUR
    500+0.52 EUR
    1000+0.49 EUR
    Mindestbestellmenge: 81 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2000+0.99 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 400V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 42W
    Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
    SVHC: Lead (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 2000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 4907 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.6 EUR
    10+1.59 EUR
    100+1.08 EUR
    500+0.86 EUR
    1000+0.77 EUR
    2000+0.71 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 10000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2000+1.09 EUR
    4000+0.77 EUR
    10000+0.59 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 1115 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    146+1 EUR
    161+0.88 EUR
    162+0.84 EUR
    180+0.73 EUR
    250+0.69 EUR
    500+0.64 EUR
    1000+0.49 EUR
    Mindestbestellmenge: 146 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 400V
    Drain current: 2A
    Pulsed drain current: 12A
    Power dissipation: 42W
    Case: DPAK; TO252
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 1.8Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 20nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 1115 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    161+0.91 EUR
    162+0.89 EUR
    180+0.78 EUR
    250+0.76 EUR
    500+0.72 EUR
    1000+0.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 161 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    auf Bestellung 3071 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    7+2.78 EUR
    10+1.77 EUR
    100+1.19 EUR
    500+0.94 EUR
    1000+0.86 EUR
    Mindestbestellmenge: 7 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 10000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    147+1 EUR
    161+0.9 EUR
    Mindestbestellmenge: 147 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVishay (passive)N-канальний ПТ , Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 20 (10 В), Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 400V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 42W
    Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: No
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
    SVHC: Lead (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 2000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    auf Bestellung 10000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2000+1.08 EUR
    4000+0.75 EUR
    10000+0.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 400V
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 400V
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1918 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+4.07 EUR
    10+2.61 EUR
    100+1.79 EUR
    500+1.43 EUR
    1000+1.33 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 24407 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+4.05 EUR
    10+2.62 EUR
    100+1.8 EUR
    500+1.43 EUR
    1000+1.33 EUR
    2000+1.26 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRR
    auf Bestellung 63000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D-Pak
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 400V
    Drain current: 2A
    Pulsed drain current: 12A
    Power dissipation: 42W
    Case: DPAK; TO252
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 1.8Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 20nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR320TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR321Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.7A, 10V
    Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1802 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    519+0.88 EUR
    Mindestbestellmenge: 519 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303International RectifierN-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω IRFR3303 TIRFR3303
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 57 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.04 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 675 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303CPBFInfineon / IRMOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303HRInfineon / IRInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 19.3nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303PBF
    Produktcode: 49895
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    		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
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    IRFR3303TRIRD-PAK 0440+
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    IRFR3303TRHRInfineon / IRInfineon
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    IRFR3303TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303TRLHRInfineon / IRInfineon
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    IRFR3303TRLPBFIR
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    IRFR3303TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRFR3303TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 19.3nC
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    IRFR3303TRPBFInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D-Pak
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303TRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 19.3nC
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303TRPBFIRD-PAK 0831+
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRFR3303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3303TRRHRInfineon / IRInfineon
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    IRFR3303TRRPBFInfineon / IRMOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRFR330BFAIRCHILD07+ TO-252
    auf Bestellung 21000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    IRFR330BTFonsemi / FairchildMOSFET 400V Single
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    IRFR330BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: DPAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR330BTMonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel B-FET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR330BTM-F
    auf Bestellung 50 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR330BTM_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/400V/4.5A/1OHM/Substitute of IRFR330ATM
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    IRFR330PBF
    auf Bestellung 80000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    IRFR3355INTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 550V DPAK
    auf Bestellung 145 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    3+2.84 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3410International RectifierN-MOSFET HEXFET 31A 100V 3W 0.039Ω IRFR3410 TIRFR3410
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 100 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    25+1.31 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3410PBF
    Produktcode: 115743
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    		Transistoren > MOSFET N-CH
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRFR3410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
    auf Bestellung 1546 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    97+1.51 EUR
    113+1.25 EUR
    144+0.95 EUR
    500+0.81 EUR
    1000+0.62 EUR
    Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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    IRFR3410PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 250 µA, Ptot, Вт = 3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, P2 = 100 Вт,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: ш
    Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3410TRLInfineon / IRMOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFR3410TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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