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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DTC123JCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 2701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
77+0.27 EUR
125+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
699+0.25 EUR
1147+0.15 EUR
1539+0.11 EUR
1806+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 699 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAT116ROHMDescription: ROHM - DTC123JCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.57 EUR
582+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.15W; SOT523; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1300+0.065 EUR
1450+0.058 EUR
1650+0.052 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 80@10MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
170+0.12 EUR
277+0.076 EUR
500+0.055 EUR
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEROHM09+
auf Bestellung 23018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEonsemionsemi SMALL SIGNAL BIAS RESISTO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 80@10MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE RKTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE TLROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 5223 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 50Vcc 100mA 3.6mA 0.5uA 250MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Resistors Included: R1 Only
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 Only
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3175+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123JE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
384+0.65 EUR
622+0.37 EUR
991+0.21 EUR
1454+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2075+0.083 EUR
2500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2075 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3175+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123JE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
384+0.65 EUR
622+0.37 EUR
991+0.21 EUR
1454+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
auf Bestellung 2607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
39+0.54 EUR
100+0.27 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3TLROHMDescription: ROHM - DTC123JE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.54 EUR
730+0.32 EUR
1232+0.18 EUR
1670+0.13 EUR
1902+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
66+0.32 EUR
106+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
auf Bestellung 4468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
6000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3TLROHMDescription: ROHM - DTC123JE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.54 EUR
730+0.32 EUR
1232+0.18 EUR
1670+0.13 EUR
1902+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEB TLROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBHZGROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBHZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123JEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBHZGTLROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBHZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123JEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.0468
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBMGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100MA 50V SC-89
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2284+0.076 EUR
2500+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 2284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC123JEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC123JEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JET1 - DTC123JET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
auf Bestellung 122092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 23092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.095 EUR
10000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.095 EUR
10000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6173+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 6173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
953+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 18247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
115+0.18 EUR
186+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1GOn SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 28624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
953+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.056 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JET1G 8M.ON-SemiconductorPrebias NPN 200mW 100mA 50V DTC123JET1G ONSemiconductor TDTC123jet
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1525+0.18 EUR
2584+0.067 EUR
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 1525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA SOT-416
auf Bestellung 5875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 17047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5435+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 5435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 4496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 2210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.17 EUR
758+0.11 EUR
1053+0.081 EUR
1276+0.067 EUR
1389+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JETLRohmЦифровой транзистор NPN, 2.2/2.2 кОм, SC-75-3, SOT-416 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 38161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1802+0.096 EUR
2500+0.093 EUR
5000+0.088 EUR
10000+0.084 EUR
25000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 1802 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JKROHM
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JKROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JKARectron USADescription: TRANS PRE-BIASED 200MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 46.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JKAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JKARohmТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JKAROHM09+
auf Bestellung 156018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JKA T146ROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JKA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3L
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JKAFROHMSOT23
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 6370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.23 EUR
2000+0.14 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
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DTC123JKAT146RohmТранзистори
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DTC123JKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.083 EUR
6000+0.075 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.065 EUR
21000+0.062 EUR
30000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1670+0.1 EUR
2500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1670 Stücke
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DTC123JKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC123JKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 5262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
530+0.48 EUR
870+0.26 EUR
1325+0.17 EUR
1880+0.11 EUR
2137+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 530 Stücke
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DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1249+0.14 EUR
1291+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1249 Stücke
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DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1112 Stücke
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DTC123JKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 44171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
82+0.25 EUR
134+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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DTC123JKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC123JKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 5262 Stücke:
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530+0.48 EUR
870+0.26 EUR
1325+0.17 EUR
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DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
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783+0.23 EUR
1291+0.13 EUR
1731+0.096 EUR
1981+0.083 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 783 Stücke
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DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1368+0.13 EUR
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DTC123JKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA
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9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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DTC123JKAT146 (SOT-346(SC-59), Rohm) 100mA 50V
Produktcode: 60566
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DTC123JKT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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DTC123JMROHM08+ T2L
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC123JM FS6T2LROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 9870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC123JM-TPMicro Commercial CoDescription: NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
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