Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFR7540TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | auf Bestellung 12466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet | auf Bestellung 5665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7540TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 80A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR HXY MOSFET TIRFR7546 HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7546PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546PBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR UMW TIRFR7546 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7546TR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 45A; 63W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR JGSEMI TIRFR7546 JGS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7546TR | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7546TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR-ML MOSLEADER TIRFR7546 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | International Rectifier | N-MOSFET, полевой, 60В, 71А, 99Вт, DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet | auf Bestellung 2153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF Produktcode: 115259
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR7546TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 99W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm | auf Bestellung 1210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 626 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V | auf Bestellung 689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7740 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7740PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7740PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 87A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 3759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7740TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 140W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7740TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7746 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA Tube | auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7746PBF-INF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 56 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 Verlustleistung: 99 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Verlustleistung: 99 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 14 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR7746TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR7833 | IR | auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR812 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR812PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR812PBF Produktcode: 167541
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| IRFR812PBF | International Rectifier | MOSF N CH 500V 3.6A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR812TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR812TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET | auf Bestellung 1902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR812TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR812TRPBF Produktcode: 111396
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| IRFR825 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR825PBF | International Rectifier | MOSF N CH 500V 6A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR825PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR825PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 119 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 119 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR825PBF | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR825PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR825PBF Produktcode: 67236
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| IRFR825PBF | Infineon / IR | MOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR825TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR825TRPBF Produktcode: 188539
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFR825TRPBF | Infineon | MOSF N CH 500V 6A DPAK Транзистори | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR825TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3816 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR825TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR825TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR825TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1346 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 1,3 Ом, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 119, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | verfügbar 743 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR825TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 43826 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR825TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3816 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR8314 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR8314 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 160A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR8314TR; SP001565102; IRFR8314 HXY MOSFET TIRFR8314 HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR8314TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR8314TR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 3,4mOhm; 90A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR8314TR; SP001565102; IRFR8314TR JGSEMI TIRFR8314 JGS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR8314TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR8314TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4mOhm; 155A; 89,3W; -55°C ~ 175°C Equivalent: IRFR8314TR; SP001565102; IRFR8314TR-ML MOSLEADER TIRFR8314 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR8314TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR8314TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR8314TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR8314TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR8314TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR8314TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 179A 2.2 mOhm 36 nC Qg | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR8314TRPBF Produktcode: 198287
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| IRFR9010 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR9010PBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR9010 Produktcode: 42634
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