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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFR7540TRPBF
Produktcode: 118952
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7540TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
auf Bestellung 6738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.89 EUR
50+2.2 EUR
100+1.98 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7540TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
430+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7540TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.02 EUR
4000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7540TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7540TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 12466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
127+1.69 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7540TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7540TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.02 EUR
84+2.06 EUR
85+1.99 EUR
86+1.92 EUR
170+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7540TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
430+1.52 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546Infineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 80A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR HXY MOSFET TIRFR7546 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546PBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; IRFR7546, IRFR7546TR IRFR7546 TIRFR7546
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 71A; 99W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR UMW TIRFR7546 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 45A; 63W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR JGSEMI TIRFR7546 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR7546; IRFR7546TR; SP001552228; SP001567604; IRFR7546TR-ML MOSLEADER TIRFR7546 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
121+1.93 EUR
183+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBF
Produktcode: 115259
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
819+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 819 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 99W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
129+1.81 EUR
194+1.11 EUR
500+1 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
4000+0.56 EUR
6000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
377+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
793+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 793 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInternational RectifierN-MOSFET, полевой, 60В, 71А, 99Вт, DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
auf Bestellung 2153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.63 EUR
100+1.13 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.77 EUR
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7546TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
4000+0.54 EUR
6000+0.51 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7740Infineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7740PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7740PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7740TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 87A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 3759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.12 EUR
89+1.94 EUR
105+1.61 EUR
200+1.48 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7740TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7740TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 140W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7740TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V
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IRFR7740TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
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IRFR7740TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7740TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 87 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
67+3.47 EUR
100+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFR7746Infineon TechnologiesInfineon
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IRFR7746PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7746PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA Tube
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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IRFR7746PBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7746PBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7746PBF-INFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR7746TRPBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.84 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR7746TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 99
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
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IRFR7746TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 99
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR7833IR
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR812Infineon Technologies
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IRFR812PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
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IRFR812PBF
Produktcode: 167541
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFR812PBFInternational RectifierMOSF N CH 500V 3.6A DPAK Транзистори
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IRFR812TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR812TRPBF
Produktcode: 111396
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFR812TRPBFInfineon / IRMOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET
auf Bestellung 1902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.37 EUR
100+1.84 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR812TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR825Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR825PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825PBFInfineon / IRMOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825PBFInternational RectifierMOSF N CH 500V 6A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825PBFAmphenolCircular MIL Spec Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825PBF
Produktcode: 67236
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1346 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 1,3 Ом, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 119, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 743 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 43826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.61 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.08 EUR
10000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825TRPBF
Produktcode: 188539
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
76+3.06 EUR
100+2.33 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825TRPBFInfineonMOSF N CH 500V 6A DPAK Транзистори
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR825TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR8314HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 160A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR8314TR; SP001565102; IRFR8314 HXY MOSFET TIRFR8314 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR8314Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR8314TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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IRFR8314TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFR8314TRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 3,4mOhm; 90A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR8314TR; SP001565102; IRFR8314TR JGSEMI TIRFR8314 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IRFR8314TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4mOhm; 155A; 89,3W; -55°C ~ 175°C Equivalent: IRFR8314TR; SP001565102; IRFR8314TR-ML MOSLEADER TIRFR8314 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFR8314TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR8314TRPBF
Produktcode: 198287
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFR8314TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 179A 2.2 mOhm 36 nC Qg
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10+2.24 EUR
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1000+1.25 EUR
2000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR8314TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFR8314TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V
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IRFR8314TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR8314TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR9010Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR9010IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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