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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFR9010Infineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010
Produktcode: 42634
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR9010PBF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 50V 5.3A
auf Bestellung 4503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+1.82 EUR
100+1.2 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.83 EUR
6000+0.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
auf Bestellung 13460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
75+1.44 EUR
150+1.3 EUR
525+1.08 EUR
1050+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 50V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 50V 5.3A
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.2 EUR
100+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.19 EUR
4000+1 EUR
10000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
12+1.75 EUR
100+1.25 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.62 EUR
287+0.58 EUR
291+0.56 EUR
295+0.52 EUR
298+0.5 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.61 EUR
291+0.6 EUR
295+0.57 EUR
298+0.55 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9010TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9012IR
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014VishayP-MOSFET 5,1A 60V 2,5W IRFR9014 TIRFR9014
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014
Produktcode: 24942
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 5,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/12
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFR9014PBF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014NInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014NTRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014NTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014NTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
auf Bestellung 12747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+1.82 EUR
100+0.93 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 3402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.86 EUR
213+0.81 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 4275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.02 EUR
1050+0.93 EUR
2100+0.84 EUR
3150+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 3420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.51 EUR
204+0.82 EUR
213+0.76 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.42 EUR
210+0.8 EUR
219+0.74 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 3038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
75+1.65 EUR
150+1.49 EUR
525+1.25 EUR
1050+1.14 EUR
2025+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 5325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.2 EUR
1050+1.09 EUR
2025+0.99 EUR
5025+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.83 EUR
219+0.79 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.14 EUR
165+1.04 EUR
525+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+0.89 EUR
219+0.79 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 3908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.81 EUR
216+0.8 EUR
224+0.75 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
75+1.69 EUR
150+1.52 EUR
525+1.27 EUR
1050+1.18 EUR
2025+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
auf Bestellung 7841 Stücke:
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1+3.97 EUR
10+1.82 EUR
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IRFR9014TRIRTO-252
auf Bestellung 27200 Stücke:
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IRFR9014TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.06 EUR
6000+0.99 EUR
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IRFR9014TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.17 EUR
162+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IRFR9014TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.33 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFR9014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.17 EUR
162+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IRFR9014TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
auf Bestellung 3419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.76 EUR
4000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
auf Bestellung 23038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.14 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR9020PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020PBFVishayIRFR9020PBF Vishay MOSFETs Transistor P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.5 EUR
64+2.71 EUR
100+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9020PBF - P CHANNEL MOSFET, -50V, 9.9A, D-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.93 EUR
67+3.5 EUR
71+3.05 EUR
74+2.92 EUR
100+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 50V 9.9A
auf Bestellung 2277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+2.32 EUR
100+1.87 EUR
500+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
auf Bestellung 2043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
75+1.76 EUR
150+1.68 EUR
525+1.57 EUR
1050+1.52 EUR
2025+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020PBFVishayIRFR9020PBF Vishay MOSFETs Transistor P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.31 EUR
100+2.26 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.71 EUR
3000+1.65 EUR
6000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9020TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9020TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.59 EUR
4000+1.49 EUR
6000+1.44 EUR
10000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.5 EUR
123+1.37 EUR
124+1.32 EUR
250+1.3 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 23995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
10+3.37 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.5 EUR
123+1.32 EUR
124+1.26 EUR
250+1.2 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 50V 9.9A
auf Bestellung 3213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9020TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.34 EUR
61+3.81 EUR
100+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9020TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9022
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR2024TR IRFR9024 IRFR9024TRL IRFR9024TRR IRFR9024 TIRFR9024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR9024N
Produktcode: 3622
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 9,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
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1+0.4 EUR
10+0.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 120mOhm; 15A; 36W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024N JSMICRO TIRFR9024n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NHXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248; IRFR9024N HXY MOSFET TIRFR9024n HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NInfineon / IRMOSFETs MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NIRTO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NCTRPBFIR
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 40 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR9024NPBF - IRFR9024 - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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