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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N3702 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 12pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3702 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,200mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3702 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 200MA 360MW TH TRANSISTOR-SM
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3702 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,200mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3702 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 200MA 360MW TH TRANSISTOR-SM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3702_D26ZonsemiDescription: TRANS PNP 25V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3702_D27ZonsemiDescription: TRANS PNP 25V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3702_D75ZonsemiDescription: TRANS PNP 25V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3702_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703onsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.5A TO92-3
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703 LEADFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -30V -500mA Bulk sistors HFE/150
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3-Pin TO-92
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1531+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1531 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3-Pin TO-92
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1531+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1531 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -30V -500mA BULK HFE/150
auf Bestellung 1003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.49 EUR
100+1.01 EUR
250+0.94 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 12pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3703_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704onsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3704 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+0.67 EUR
596+0.39 EUR
878+0.25 EUR
1176+0.18 EUR
1368+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704Central SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
auf Bestellung 5946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 800mA BULK HFE/300
auf Bestellung 5485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.33 EUR
100+0.88 EUR
250+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+0.54 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 800mA HFE/300
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704_D27ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704_D74ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.5A TO-92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704_D75ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3704_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3705MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3705 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.69 EUR
585+0.39 EUR
863+0.25 EUR
1154+0.19 EUR
1343+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 365 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3705
Produktcode: 137933
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3705 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3705 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
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2N3705 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 800mA BULK HFE/150
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2N3705 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 800mA HFE/150
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2N3705 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
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2N3705 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
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2N3706 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
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2N3706 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
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2N3706 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20V 800mA BULK HFE/800
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2N3706 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20V 800mA HFE/800
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2N3706 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
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2N3706 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
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2N3707CentralsemiTO-39 Транзистори
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2N3707 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N3707 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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2N3707 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N3707 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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2N3707 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
auf Bestellung 2490 Stücke:
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7+3.14 EUR
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2N3707 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92
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2N3707 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 2662 Stücke:
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1000+0.92 EUR
2500+0.82 EUR
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2N3707 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 30Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW
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2N3707 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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2N3707 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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2N3707 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N3707 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N3707 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3708 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N3708 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N3708 LEAD FREEBroadcom / AvagoBipolar Transistors - BJT
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2N3708 LEADFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS sistors
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2N3708 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V TO-92-3
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
22+1 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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2N3708 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.49 EUR
10+1.04 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.4 EUR
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2N3708 PBFREE
Produktcode: 185184
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N3708 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 30Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW
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2N3708 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N3708 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N3709Central Semiconductor
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2N3709 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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2N3709 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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2N370AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N371MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3710Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N3710 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3710 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N3710 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+1 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.39 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2N3711onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N3711CentralsemiBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS Транзистори
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2N3711 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3711 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3711 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.77 EUR
10+1.09 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3711 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 5V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3711 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 30Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3711 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3711 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Transistor
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