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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MPS6531_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO92-3
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6531_D27ZonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6531_D75Z
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6531_D75ZonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6531_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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MPS6532Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6532 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6532 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6532 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6532 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 50mA 3.5pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6532A00+ DIP
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534ONSEMIDescription: ONSEMI - MPS6534 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 81054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8013+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8013 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 0.8A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 81054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6662 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534
Produktcode: 171706
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534 PBCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 600mA 625mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
auf Bestellung 3426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.5 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 600mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534_D26ZonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.8A TO92-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534_D75ZonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.8A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534_D75Z
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6534_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6535
auf Bestellung 1663 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6535 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6535 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6535 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 100mA 7.0pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6535 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Med Pwr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560onsemiDescription: TRANS NPN SS GP 25V TO92
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5323+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560ONSEMIDescription: ONSEMI - MPS6560 - TRANS NPN 25V 0.5A TO92
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1862 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
auf Bestellung 3958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.37 EUR
4000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560 PBFREECentral SemiconductorComplementary Silicon Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Med Pwr
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6560GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6561onsemiDescription: NPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6561 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6561 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6561 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Med Pwr
auf Bestellung 2286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.82 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.31 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6561 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20Vcbo 20Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6561 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6561 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562
auf Bestellung 12375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562onsemiBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562onsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Med Power
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 25V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562_D26ZonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562_D74ZonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6562_D75ZonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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MPS6563Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6563 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6563 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6563 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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MPS6563 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20Vcbo 20Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6563 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6563 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6564 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 10mA 4.0pF
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 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6564 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 10mA 4.0pF
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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MPS6566 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 10mA 3.5pF
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6566 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 10mA 3.5pF
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6566 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 45Vceo 4.0Vebo 10mA 3.5pF
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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MPS6566 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 1821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.31 EUR
10+1.15 EUR
100+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MPS6566 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 10mA 3.5pF
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6566 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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MPS6601STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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MPS6601ONSEMIDescription: ONSEMI - MPS6601 - TRANS NPN 25V 1A TO92
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 43850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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MPS6601onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 25V NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6601onsemiDescription: TRANS NPN 25V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 48850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4365+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4365 Stücke
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MPS6601
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MPS6601Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6601onsemiDescription: TRANS NPN 25V 1A TO92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6601(Z)Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6601GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 1A TO92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6601GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 25V NPN
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MPS6601G
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6601GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 25804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3643+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3643 Stücke
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MPS6601GSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPS6601GONSEMIDescription: ONSEMI - MPS6601G - MPS6601G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 27804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MPS6601RLRASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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