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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RE17RMXMUSchneider ElectricTime Delay & Timing Relays TIMER RELAY 1CO 0,1s-10h PULSE DELAY 24V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE18HellermannTytonDescription: BOX STEEL WHITE 4"L X 14.1"W
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RE183-L
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RE184-L
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RE185-L
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1903U-NML-comDescription: ANTOMNI 800-2100MHZ 3DBI
Applications: CSD, EDGE, GPRS, GSM, ISM, LoRa, LPWAN, LTE-M, M2M, NB-IoT, WLAN
Mounting Type: Magnetic
Features: Cable - 1.2192m
Packaging: Bag
RF Family/Standard: Cellular, WiFi
Frequency (Center/Band): 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz
Frequency Group: Wide Band
Height (Max): 8.390" (213.11mm)
Antenna Type: Whip, Straight
Number of Bands: 4
Termination: N Type Male
Gain: 3dBi, 3dBi, 3dBi, 3dBi
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1903U-SML-comDescription: ANTOMNI 800-2100MHZ 3DBI
RF Family/Standard: Cellular, WiFi
Frequency (Center/Band): 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz
Frequency Group: Wide Band
Height (Max): 8.390" (213.11mm)
Antenna Type: Whip, Straight
Number of Bands: 4
Termination: SMA Male
Gain: 3dBi, 3dBi, 3dBi, 3dBi
Applications: CSD, EDGE, GPRS, GSM, ISM, LoRa, LPWAN, LTE-M, M2M, NB-IoT, PCS, WLAN
Mounting Type: Magnetic
Features: Cable - 1.2192m
Packaging: Bag
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1903U-TML-comDescription: ANTOMNI 800-2100MHZ 3DBI
Features: Cable - 1.2192m
Packaging: Bag
Mounting Type: Magnetic
Applications: CSD, EDGE, GPRS, GSM, ISM, LoRa, LPWAN, LTE-M, M2M, NB-IoT, PCS, WLAN
Gain: 3dBi, 3dBi, 3dBi, 3dBi
Termination: TNC Male
Number of Bands: 4
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 8.390" (213.11mm)
Frequency Group: Wide Band
Frequency (Center/Band): 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz
RF Family/Standard: Cellular, WiFi
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1903U-TS9L-comDescription: ANTOMNI 800-2100MHZ 3DBI
RF Family/Standard: Cellular, WiFi
Frequency (Center/Band): 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz
Frequency Group: Wide Band
Height (Max): 8.390" (213.11mm)
Antenna Type: Whip, Straight
Number of Bands: 4
Termination: TS9
Gain: 3dBi, 3dBi, 3dBi, 3dBi
Applications: CSD, EDGE, GPRS, GSM, ISM, LoRa, LPWAN, LTE-M, M2M, NB-IoT, PCS, WLAN
Mounting Type: Magnetic
Features: Cable - 1.2192m
Packaging: Bag
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE192RESOP-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE192FPMI92 SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE192G
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE193G00+ SOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE194G00+ SOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE195REF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE195F00+ SOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE195GSOP
auf Bestellung 2600 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE195GS
auf Bestellung 311 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE196G00+ SOP
auf Bestellung 100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE198G00+ SOP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1183+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
25000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
auf Bestellung 40800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
61+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 228635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2718+0.064 EUR
2725+0.063 EUR
3185+0.052 EUR
3368+0.049 EUR
6000+0.045 EUR
12000+0.044 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2718 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C001UNTCLROHM SemiconductorMOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.79 EUR
10+0.64 EUR
100+0.35 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.093 EUR
21000+0.089 EUR
30000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 30341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1183+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
25000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C001ZPTLROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET
auf Bestellung 6130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
13+0.27 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.077 EUR
9000+0.071 EUR
24000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.5 EUR
736+0.32 EUR
1306+0.17 EUR
1761+0.12 EUR
2005+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.092 EUR
6000+0.082 EUR
9000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
auf Bestellung 10609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
76+0.27 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.5 EUR
736+0.32 EUR
1306+0.17 EUR
1761+0.12 EUR
2005+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.073 EUR
42000+0.065 EUR
63000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002UNTCLROHMDescription: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.5 EUR
820+0.29 EUR
1309+0.17 EUR
1799+0.12 EUR
2289+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002UNTCLN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 0,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом @ 100 мА, 2,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 7 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1250+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002UNTCLROHMDescription: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
503+0.5 EUR
820+0.29 EUR
1309+0.17 EUR
1799+0.12 EUR
2289+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 801000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+0.071 EUR
9000+0.067 EUR
15000+0.062 EUR
21000+0.058 EUR
30000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002UNTCLROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 77015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 242862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1444+0.12 EUR
2000+0.089 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.062 EUR
12000+0.051 EUR
24000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1444 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 26261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2208+0.079 EUR
2500+0.075 EUR
5000+0.071 EUR
10000+0.068 EUR
25000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 2208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 803530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
87+0.24 EUR
140+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002UNTCL QR.ROHM - JapanMOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3 SC-89, SOT-490 RE1C002UNTCL TRE1c002untcl
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002ZPTLROHM SemiconductorMOSFETs RECOMMENDED ALT 755-RZM002P02T2L
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002ZPTLROHMDescription: ROHM - RE1C002ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.56 EUR
654+0.36 EUR
1250+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002ZPTLROHMDescription: ROHM - RE1C002ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.56 EUR
654+0.36 EUR
1250+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1C002ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
auf Bestellung 24614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
65+0.32 EUR
105+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RE1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.51 EUR
730+0.32 EUR
1613+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1E002SPTCLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
auf Bestellung 11756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.57 EUR
100+0.31 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RE1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+0.51 EUR
730+0.32 EUR
1613+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.098 EUR
9000+0.092 EUR
15000+0.086 EUR
21000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RE1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 25033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1J002YNTCLROHM SemiconductorMOSFET Small Signal MOSFET N-CH .9V Drive .2A
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.5 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.099 EUR
24000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1J002YNTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT416F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.39 EUR
334+0.25 EUR
456+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RE1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.96 EUR
350+0.67 EUR
676+0.32 EUR
1053+0.2 EUR
1370+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1L002SNTLROHM SemiconductorMOSFETs RECOMMENDED ALT 755-RSM002N06T2L
auf Bestellung 1612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RE1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
348+0.71 EUR
579+0.4 EUR
926+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
auf Bestellung 23120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
101+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1L002SNTL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.096 EUR
6000+0.088 EUR
9000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RE1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.5 EUR
752+0.31 EUR
1456+0.14 EUR
1613+0.13 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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