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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFS-0501-NOWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-NOWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-PNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Polyamide (PA), Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Cable Leads
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M5
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-PNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-POWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-POWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ASiliconixN-MOSFET 500V 11A 170W IRFS11N50A TIRFS11N50A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS11N50APBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50AVishayN-MOSFET 500V 11A 170W IRFS11N50A TIRFS11N50A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50A(94-2401)
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.88 EUR
40+3.62 EUR
61+2.33 EUR
100+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.97 EUR
75+2.86 EUR
150+2.61 EUR
525+2.24 EUR
1050+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.41 EUR
68+2.09 EUR
69+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.01 EUR
61+2.39 EUR
100+2.13 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.56 EUR
59+2.46 EUR
60+2.3 EUR
100+2.03 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.53 EUR
10+2.87 EUR
100+2.6 EUR
500+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.72 EUR
50+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.92 EUR
150+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.98 EUR
77+1.85 EUR
150+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.89 EUR
33+4.47 EUR
56+2.56 EUR
100+2.3 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.75 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
50+1.94 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.67 EUR
75+2.4 EUR
150+2 EUR
525+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.68 EUR
75+2.35 EUR
150+1.93 EUR
525+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ATRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ATRLIR01+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ATRLPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ATRLPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.86 EUR
10+3.85 EUR
100+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ATRLPVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 11 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ATRRPVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 11 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ATRRPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ATRRPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS140AON Semiconductor / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS150AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS17N20DIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS17N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS17N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS17N20DTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS17N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS17N20DTRR
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS17N20DTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS17N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS1Z0IRSOT-89
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS1Z0 TRRROHMSOT89
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFS1Z0TRL
auf Bestellung 17250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS1Z3TR
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS21368DS
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N15DInternational Rectifier/InfineonMOSFET N-CH 150V 23A D2PAK, Vdss В 150V, Id x, Ptot, Вт 3.8W,... Транзистори Корпус: TO-263 (D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N15DIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFS23N15DHRInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N15DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 23 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 0,09 Ом @ 14 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N15DPBFInternational RectifierSMPS MOSFET, 150V, 23A, D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N15DTRLHRInfineon / IRInfineon
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IRFS23N15DTRLPInfineon
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFS23N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.79 EUR
60+2.36 EUR
63+2.17 EUR
100+1.68 EUR
250+1.6 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N15DTRLPInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N15DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N15DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N15DTRRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N15DTRRHRInfineon / IRInfineon
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IRFS23N20DInternational Rectifier/InfineonMOSFET N-CH 200V 24A D2PAK... Транзистори Корпус: TO-263 (D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFS23N20DHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DPBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 57nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS23N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.8
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DPBFInfineonSingle N-Channel 200 V 3.8 W 57 nC, D2PAK-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DTRLHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DTRLPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS23N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DTRLPInfineon / IRMOSFET MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS23N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.1 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 170
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DTRLPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DTRRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DTRRPInfineon / IRMOSFET 200V Single NChannel HEXFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS23N20DTRRPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS240BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS240B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS240BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
386+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS250
auf Bestellung 30951 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS250B
Produktcode: 77929
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FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3PF
Uds,V: 200
Idd,A: 21.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.071
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
JHGF: THT
verfügbar: 12 St.
    1+0.7 EUR
    10+0.57 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS250BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10.65A, 10V
    Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-3PF
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS254B
    Produktcode: 77968
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-3PF
    Uds,V: 250
    Idd,A: 16
    Rds(on), Ohm: 01.01.2000
    Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
    JHGF: THT
    verfügbar: 5 St.
      1+1.26 EUR
      10+1.1 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFS254BFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
      Vgs (Max): ±30V
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Part Status: Active
      Supplier Device Package: TO-220F
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 8A, 10V
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
      FET Type: N-Channel
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Mounting Type: Through Hole
      Package / Case: TO-220-3 Full Pack
      Packaging: Bulk
      auf Bestellung 7200 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      699+0.65 EUR
      Mindestbestellmenge: 699 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFS254BFP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS254BFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
      tariffCode: 85412900
      productTraceability: No
      rohsCompliant: NO
      euEccn: NLR
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: NO
      usEccn: EAR99
      SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
      auf Bestellung 7200 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 1233 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFS254BFP001ON SemiconductorIRFS254BFP001
      auf Bestellung 7200 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      971+0.56 EUR
      1053+0.51 EUR
      Mindestbestellmenge: 971 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFS3004Infineon Technologies
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFS3004-7PPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Транзистори
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRFS3004-7PPBF Transistor
      Produktcode: 60555
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      		IRTransistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: D2Pak
      Uds,V: 40
      Idd,A: 240
      Rds(on), Ohm: 1.25mOhm
      Ciss, pF/Qg, nC: 9130/160
      JHGF: SMD
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      IRFS3004-7PPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 400, Ptot, Вт = 380, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 9130 @ 25, Qg, нКл = 240 @ 10 В , Rds = 1.25 мОм @ 195 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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      IRFS3004-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
      Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
      Part Status: Discontinued at Digi-Key
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V
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      IRFS3004-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
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      IRFS3004-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 160nC
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