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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BM3831.1BN09+ SOP28
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3878N/A09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM38B-GHDS-TFJST Sales America Inc.Description: GHD HEADER (SMT/TOP TYPE/ WITH S
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM38B-GHDS-TF(LF)(SN)JST CommercialHeaders & Wire Housings GHD HEADER (SMT/TOP TYPE/ WITH SUCKING A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G005MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools Evaluation board consists of the BM3G005MUV (GaN FET (650 V 50 mohm), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted.
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G005MUV-EVK-003Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR BM3G005
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BM3G005
Embedded: No
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G005MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G005MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufe, VQFN046V8080, 6.83-30V, 1 Kanal, 1 Ausgang, TO252-J
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: GaN-HEMT-Leistungsstufe
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: VQFN046V8080
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.31 EUR
11+22.13 EUR
25+19.9 EUR
50+19.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G005MUV-LBE2ROHM SemiconductorGaN FETs PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5mohm, Low Side Nch
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.43 EUR
10+23.54 EUR
100+21.42 EUR
1000+19.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G005MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G005MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufe, VQFN046V8080, 6.83-30V, 1 Kanal, 1 Ausgang, TO252-J
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+32.31 EUR
11+22.13 EUR
25+19.9 EUR
50+19.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G007MUV-EVK-002ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVAL BOARD FOR BM3G007MUV-LBE2
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+848.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G007MUV-EVK-002Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR BM3G007
Packaging: Bulk
Function: Power Factor Correction
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BM3G007
Primary Attributes: 90 ~ 264VAC Input Voltage
Embedded: No
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+782.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G007MUV-EVK-002ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-EVK-002 - Evaluationsboard, BM3G007MUV-LBE2, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BM3G007MUV-LBE2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G007MUV-LBE2
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+898.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G007MUV-EVK-003Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR BM3G007
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BM3G007
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 6.25 ~ 35V Supply
Embedded: No
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G007MUV-EVK-003ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-EVK-003 - Evaluationsboard, BM3G007MUV-LBE2, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BM3G007MUV-LBE2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G007MUV-LBE2
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G007MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVAL BOARD FOR BM3G007MUV-LBE2
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G007MUV-LBE2Rohm SemiconductorDescription: NANO CAP, ECOGAN, 650V 70M 2MHZ,
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 46-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.25V ~ 30V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: VQFN046V8080
Fault Protection: Over Temperature, UVLO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G007MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.09 EUR
25+19.97 EUR
50+18.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G007MUV-LBE2ROHM SemiconductorMOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.49 EUR
10+40.42 EUR
25+39.16 EUR
1000+34.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G007MUV-LBE2Rohm SemiconductorDescription: NANO CAP, ECOGAN, 650V 70M 2MHZ,
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 46-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.25V ~ 30V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: VQFN046V8080
Fault Protection: Over Temperature, UVLO
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.01 EUR
10+21.36 EUR
25+19.94 EUR
100+18.4 EUR
250+17.66 EUR
500+17.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G007MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.49 EUR
10+25.09 EUR
25+19.97 EUR
50+18.36 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G015MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVAL BOARD FOR BM3G015MUV-LBE2
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G015MUV-EVK-003Rohm SemiconductorDescription: EVALUATION BOARD FOR BM3G015MUV-
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: BM3G015
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 6.25 ~ 35V Supply
Embedded: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G015MUV-EVK-003ROHMDescription: ROHM - BM3G015MUV-EVK-003 - Evaluationsboard, BM3G015MUV-LBE2, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BM3G015MUV-LBE2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G015MUV-LBE2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G015MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.52 EUR
24+9.7 EUR
26+8.29 EUR
50+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G015MUV-LBE2ROHM SemiconductorMOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
auf Bestellung 2084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.19 EUR
10+22.21 EUR
25+21.6 EUR
50+20.42 EUR
100+19.21 EUR
250+18.87 EUR
1000+16.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G015MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G107MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools Eval Board for PMIC Power Switch/Driver, 650V, 7m
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G107MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G107MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 70 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+32.19 EUR
11+23.11 EUR
25+20.37 EUR
50+19.41 EUR
100+18.44 EUR
250+18.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G107MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G107MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 70 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: GaN-HEMT-Leistungsstufe
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: VQFN046V8080
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.19 EUR
11+23.11 EUR
25+20.37 EUR
50+19.41 EUR
100+18.44 EUR
250+18.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G115MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools Eval Board for PMIC Power Switch/Driver, 650V, 15mohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G115MUV-LBE2Rohm SemiconductorPower Stage 46-Pin VQFN EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.39 EUR
25+12.63 EUR
50+11.88 EUR
100+11.22 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G115MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G115MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 150 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: GaN-HEMT-Leistungsstufe
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: VQFN046V8080
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.27 EUR
18+13.6 EUR
25+12.13 EUR
50+11.7 EUR
100+11.27 EUR
250+11.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G115MUV-LBE2ROHM SemiconductorGaN FETs HEMT POWER STAGE IC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G115MUV-LBE2Rohm SemiconductorPower Stage 46-Pin VQFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3G115MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G115MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 150 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.27 EUR
18+13.6 EUR
25+12.13 EUR
50+11.7 EUR
100+11.27 EUR
250+11.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BM3M-TDT1,2Autonics USADescription: SENSOR, PHOTO, THROUGH BEAM, DAR
Part Status: Active
Light Source: Infrared (940nm)
Connection Method: Cable
Cable Length: 78.7" (2000.00mm)
Response Time: 3ms
Voltage - Supply: 12V ~ 24V
Output Configuration: NPN - Open Collector/Dark-ON
Operating Temperature: -10°C ~ 60°C (TA)
Sensing Method: Through-Beam
Sensing Distance: 118.110" (3m)
Adjustment Type: Adjustable
Packaging: Box
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+138.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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