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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| GE28F320C3TC90 | INTEL | BGA | auf Bestellung 1137 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F320C3TD70 | INTEL | 05+ | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F320CBD70 | I | 0541+ | auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F320J3A110 | INTEL | BGA | auf Bestellung 9978 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F320LC3BD70 | BGA | auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| GE28F320W18BD60 | INTEL | 02+ | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F320W18BD80 | INTEL | 09+ | auf Bestellung 1268 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F320W18TD60 | INTEL | 02+ | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F320W30BD70 | auf Bestellung 10980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GE28F320W30TD60 | INTEL | 02+ | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F640C3TC80 | Altera | Description: IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48VFBGA Packaging: Bulk Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - Boot Block Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 48-VFBGA (7.7x9) Part Status: Active Memory Interface: Parallel Access Time: 80 ns Memory Organization: 4M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GE28F640C3TC80 | INTER | 2001 | auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F640C3TC80 S B93 | Intel | Description: IC FLASH 64MBIT 80NS 48VFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F640K3C110 | Intel | Description: IC FLASH 64MBIT 110NS 56VFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 336 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F640W18TD80 | INTEL | 04+ BGA | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F640W30BD70 | INTEL | 05+ | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F800B3BA90 | INTEL | BGA | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE28F800B3TA90 | auf Bestellung 6047 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| GE2GM3R3G10OC | NINGBO AISHI ELECTRIC EQU | GE2GM3R3G10OC 3,3 мкФ 400 В GE 10*17 мм при 105C - время работы 10000 часов Конденсатори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE2GM4R7G12OC | AISHI | GE2GM4R7G12OC 4,7 мкФ 400 В GE 10*20 мм при 105C -время работы 12000 часов Конденсатори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE2GM5R6G12OC | AISHI | GE2GM5R6G12OC 5,6 мкФ 400 В GE 12*22 мм при 105C - время работы 12000 часов Конденсатори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE2X10MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| GE2X10MPS06D | GENESIC | Description: GENESIC - GE2X10MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 46 A, 25 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 25nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 46A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GE2X10MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GE2X12MPS06D | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GE2X8MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A x2 Max. forward impulse current: 36A Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 16A Mounting: THT Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: common cathode; double | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS | auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor | Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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