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MJF2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF2955GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 90V 30W PNP
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MJF2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF305+5
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MJF3055onsemiDescription: TRANS NPN 90V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 2 W
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626+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
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MJF3055ONSEMIDescription: ONSEMI - MJF3055 - MJF3055, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 983 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 983 Stücke
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MJF3055onsemiDescription: TRANS NPN 90V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJF3055onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 90V 30W NPN
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MJF3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF3055GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 90V 30W NPN
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1+4.38 EUR
10+2.14 EUR
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MJF3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF3055GonsemiDescription: TRANS NPN 90V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 4080 Stücke:
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5+4.46 EUR
50+2.18 EUR
100+1.96 EUR
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1000+1.44 EUR
2000+1.34 EUR
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MJF31ConsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 30W NPN
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MJF31CON SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-220FP
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MJF31C
auf Bestellung 2080 Stücke:
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MJF31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2059 Stücke:
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6+3.71 EUR
50+1.77 EUR
100+1.58 EUR
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1000+1.14 EUR
2000+1.06 EUR
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MJF31CGAptina ImagingTrans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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131+1.37 EUR
144+1.23 EUR
500+0.98 EUR
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MJF31CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJF31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2 W, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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MJF31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.37 EUR
144+1.19 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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MJF31CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 30W NPN
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1+3.33 EUR
10+1.63 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.88 EUR
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MJF31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJF32C
auf Bestellung 28700 Stücke:
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MJF32ConsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 30W PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF32ConsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 3838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
50+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJF32CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 30W PNP
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.17 EUR
10+1.51 EUR
100+1.36 EUR
500+0.98 EUR
1200+0.89 EUR
2400+0.82 EUR
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MJF340TFSamsung
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJF4343
auf Bestellung 8000 Stücke:
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MJF44H11onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF44H11onsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJF44H11
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJF44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.92 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.87 EUR
50+2.93 EUR
100+2.64 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.99 EUR
2000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MJF44H11GON-SemiconductorNPN 10A 80V 2W MJF44H11G TMJF44h11g
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.96 EUR
250+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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MJF44H11G
Produktcode: 169245
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 16550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.11 EUR
100+1.89 EUR
250+1.77 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.33 EUR
2600+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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MJF44H11GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 60
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF44H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 16562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.11 EUR
100+1.86 EUR
250+1.7 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.23 EUR
2600+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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MJF44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
auf Bestellung 11871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+2.89 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
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MJF45H11
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJF45H11onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
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MJF45H11onsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJF45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.65 EUR
250+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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MJF45H11G
Produktcode: 169243
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
auf Bestellung 5289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.18 EUR
100+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.61 EUR
500+1.27 EUR
700+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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MJF45H11GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 60
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
Collector current: 10A
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJF45H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
114+2.05 EUR
128+1.68 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
50+1.9 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF47ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 250V 1A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF47
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF47GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 250V 28W NPN
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+2.48 EUR
100+1.9 EUR
500+1.63 EUR
850+1.25 EUR
2550+1.07 EUR
10200+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF47GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 250V 1A TO220FP
auf Bestellung 2844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
10+2.75 EUR
100+2.14 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6107
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388onsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.13 EUR
100+1.92 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.12 EUR
100+1.87 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 40W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 100...15000
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF6388G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 40 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388GonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+2.39 EUR
100+2.14 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
50+2.53 EUR
100+2.27 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6668
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6668onsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6668onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6668GonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar Power PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6668GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6668GONSEMIDescription: ONSEMI - MJF6668G - MJF6668G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6668GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
260+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJF6668GOn SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJFR0447
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJFW0808FX06T1-R1H1CTaiwanРоз'єм RJ-45,... Роз'єми Корпус: ... Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH