Produkte > NTG
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| NTGS3433 | MOTOROLA | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| NTGS3433T1 | ON | 2004 | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3433T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3433T1 - NTGS3433T1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 50930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3433T1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOP Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | auf Bestellung 50930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3433T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3433T1G | onsemi | MOSFET -12V -3.3A P-Channel | auf Bestellung 1999 Stücke: Lieferzeit 339-343 Tag (e) |
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| NTGS3433T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V | auf Bestellung 163782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3433T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3433T1G | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3433T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3433VT1G | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3441 | MOTOROLA | auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| NTGS3441BT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V | auf Bestellung 48750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3441BT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3441BT1G - NTGS3441BT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 48750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3441BT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3441G1 | auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3441LT1 | ON | 09+ | auf Bestellung 2018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3441PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3441PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3441PT1G - NTGS3441PT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3441PT1G | 10+ SOT-163 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| NTGS3441PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V | auf Bestellung 4571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3441T1 | ON | SOT163 | auf Bestellung 12810 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3441T1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3441T1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V | auf Bestellung 47513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3441T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3441T1 - NTGS3441T1, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 47513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3441T1/PT | auf Bestellung 3110 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3441T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3441T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 5250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3441T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V | auf Bestellung 18421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3441T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 5250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3441T1G | onsemi | MOSFET 20V 1A P-Channel | auf Bestellung 8458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3441T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3441T1SOT163-PT2 | auf Bestellung 7897 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3441TI | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3442T1G | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3443 | ON | SOT-163 | auf Bestellung 1740 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3443BT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V | auf Bestellung 60688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3443BT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3443BT1G - NTGS3443BT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 64592 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3443BT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3443T | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3443T1 | ON | 07+; | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3443T1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3443T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 6174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3443T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3443T1G | onsemi | MOSFET 20V 2A P-Channel | auf Bestellung 43119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3443T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V | auf Bestellung 35131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3443T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2741 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3443T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3443T1G | ON-Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP NTGS3443T1G TNTGS3443 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTGS3443T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3443T2G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3443T2G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3445T1G | auf Bestellung 2082 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3446 | onsemi | MOSFETs NFET TSOP6 20V 5.1A 45MOH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3446G | onsemi | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3446T1 | ON | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3446T1 | onsemi | MOSFET 20V 5.1A N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3446T1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3446T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3446T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3446T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3446T1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3446T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3446T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3446T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 2512 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3446T1G | onsemi | MOSFETs 20V 5.1A N-Channel | auf Bestellung 10029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3446T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.045 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3446T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3446T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3446T1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V | auf Bestellung 8695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3446T1G/446 | auf Bestellung 8600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3447PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3447PT1G - NTGS3447PT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 8980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3447PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V | auf Bestellung 8980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3447PT1G | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3447PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3447T1G | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3448T1G | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3455T | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS3455T1 | ON | SOT23-6 05+ | auf Bestellung 2953 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3455T1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3455T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3455T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 17448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3455T1G | onsemi | MOSFETs 30V 3.5A P-Channel | auf Bestellung 137298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3455T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3455T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS3455T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3455T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 17448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS3455T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 38984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS3455TI | auf Bestellung 10807 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS4111 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| NTGS4111PT1 | On Semiconductor | NTGS4111PT1 P-ChannelPowerMosfet-30V/-4.7A Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS4111PT1 | ON | 04+ | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS4111PT1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS4111PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS4111PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS4111PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTGS4111PT1G | On Semiconductor | P-ChannelPowerMosfet-30V/-4.7A Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS4111PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NTGS4111PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V | auf Bestellung 16015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTGS4111PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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