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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTZS3151PTon
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
299+0.83 EUR
484+0.48 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1GonsemiMOSFETs -20V -950mA P-Channel
auf Bestellung 6848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.21W; SOT563F; ESD
Case: SOT563F
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.21W
Gate-source voltage: ±8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
39+0.55 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
299+0.83 EUR
484+0.48 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+0.45 EUR
519+0.32 EUR
837+0.19 EUR
1125+0.14 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.19 EUR
8000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 6470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
627+0.27 EUR
847+0.2 EUR
855+0.19 EUR
898+0.18 EUR
947+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
1061+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 627 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 6470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
855+0.2 EUR
898+0.19 EUR
947+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
1061+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 855 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1H
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
auf Bestellung 151765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2732+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2732 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 151765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4006+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4006 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS3151PT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZS315PT1G
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZY-5ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZY-6ic00+ SOP
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZY-7ic00+ SOP
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTZY-8ic00+ SOP
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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