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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TPCA8088,LQ(MToshibaToshiba
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TPCA8102TOSHIBA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8102(TE12L,Q,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8102-TE12
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TPCA8103TOSHIBASOP8 05+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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TPCA8103 (TE12L,Q,MToshibaMOSFETs
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TPCA8103(T2LAD,Q)ToshibaToshiba
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TPCA8103(TE12L,Q,MToshibaMOSFET MOSFET P-Ch 30V 40A
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TPCA8103(TE12L,Q,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 10 V
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TPCA8103(TE12LQMToshibaMOSFETs
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TPCA8103ATOSHIBA07+;
auf Bestellung 400 Stücke:
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TPCA8104TOSHIBA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TPCA8104(TE12L,Q)ToshibaMOSFET Pb-FF SOP8-ADV UMOS,ACTIVE,
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TPCA8104(TE12L,Q,MToshibaMOSFET MOSFET P-Ch 60V 40A Rdson=0.016Ohm
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TPCA8104(TE12L,Q,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 40A SOP-8 ADV
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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TPCA8104(TE12L.Q)
auf Bestellung 655 Stücke:
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TPCA8104(TE12LQ
Produktcode: 182490
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TPCA8104(TE12LQ)ToshibaMOSFET
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TPCA8105TOSHIBA0626+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TPCA8105(TE12L,Q,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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TPCA8105-H
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TPCA8106
auf Bestellung 73500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TPCA8106ToshibaToshiba
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TPCA8106(TE12L,Q)
Produktcode: 190545
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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TPCA8106(TE12L,Q)TOSHIBASOP8
auf Bestellung 26 Stücke:
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TPCA8106(TE12LQ)ToshibaMOSFET
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TPCA8107-H(TE12LQMToshibaMOSFET MOSFET P-Ch 40V 7.5A Rdson=0.03Ohm
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TPCA8107-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 7.5A SOP-8 ADV
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8108(TE12L,Q,MToshibaMOSFET P-ch -40V -40A SOP-Adv
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TPCA8109ToshibaMOSFET
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TPCA8109(T2L,A,Q)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8109(TE12L,QM)ToshibaToshiba
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TPCA8109(TE12L,V,MToshibaToshiba
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TPCA8109(TE12L1,VToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
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TPCA8109(TE12L1,VToshibaToshiba
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TPCA8120ToshibaMOSFETs
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TPCA8120,L1QToshibaMOSFETs LVMOS SOP-8-ADV
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.96 EUR
100+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8120,L1Q(CMToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 45A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 3710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.18 EUR
103+1.69 EUR
116+1.48 EUR
128+1.3 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8120,LQ(CMToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 45A 8-Pin SOP Advance
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8120,LQ(CMToshibaMOSFET N-Ch -30V FET 2.8W -45.A 1650pF
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8120,LQ(CMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP
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TPCA8120L1Q(CMToshibaToshiba
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TPCA8128ToshibaArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8128,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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TPCA8128,L1QToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=104W F=1MHZ
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8128,L1Q(CMToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.67 EUR
142+1.23 EUR
200+1.02 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8128,LQ(CMToshibaMOSFET P-CH FET -30V 3.7 mOhm 45W
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8128,LQ(CMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8128,LQ(CMToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 34A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8128,LQ(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 34A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+2.24 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8128,LQ(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 34A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 14173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+2.24 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.78 EUR
10000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8128L1Q(CMToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8131ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8131,LQToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8131,LQ(SToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
630+0.27 EUR
656+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 630 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA82020-HTOSHSOP8
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8A01-H(TE12L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8A02-H
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8A02-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8A04-H(TE12L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCA8A04-H/44aTOSHIBA0921+ QFN-8
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCB02593-12-AM-AGDP-LNearson Inc.Description: ANTENNA EMBEDDED MICROSTRIPE R/A
Frequency (Center/Band): 892MHz, 1.85GHz
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz), UHF (1GHz ~ 2GHz)
Height (Max): 0.016" (0.40mm)
Antenna Type: PCB Trace
VSWR: 2
Number of Bands: 4
Termination: MMCX
Gain: 0dBi, 2dBi
Frequency Range: 824MHz ~ 960MHz, 1.71GHz ~ 1.99GHz
Packaging: Bulk
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.21 EUR
10+36.03 EUR
25+34.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCB02593-6-RMM-AGDP-LNearson Inc.Description: ANTENNA EMBEDDED MICROSTRIPE R/A
Frequency (Center/Band): 892MHz, 1.85GHz
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz), UHF (1GHz ~ 2GHz)
Height (Max): 0.016" (0.40mm)
Antenna Type: PCB Trace
VSWR: 2
Number of Bands: 4
Termination: SMA
Gain: 0dBi, 2dBi
Frequency Range: 824MHz ~ 960MHz, 1.71GHz ~ 1.99GHz
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCB30DWFVishay / Dale SI4825 DIE IN WAFER FORM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-1.125AOptiFuseDescription: CLASS CC FUSE, TIME DELAY 1.125A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-1.5AOptiFuseDescription: CLASS CC FUSE, TIME DELAY 1.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-10AOptiFuseDescription: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 10A
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-15AOptiFuseDescription: CLASS CC FUSE, TIME DELAY 15A
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.54 EUR
10+74.04 EUR
25+68.38 EUR
50+59.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-1AOptiFuseDescription: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-20AOptiFuseDescription: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 20A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-250MAOptiFuseDescription: CLASS CC FUSE, TIME DELAY 250MA
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-2AOptiFuseDescription: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 2A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-30AOptiFuseDescription: FUSE CERM 30A 600VAC 300VDC 5AG
Packaging: Bulk
Package / Case: 5AG, 10mm x 38mm (Midget)
Size / Dimension: 0.409" Dia x 1.500" L (10.40mm x 38.10mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Response Time: Slow Blow
Approval Agency: CSA, UL
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 200kA AC, 100kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 30 A
Voltage Rating - AC: 600 V
Voltage Rating - DC: 300 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.45 EUR
10+73.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-3AOptiFuseDescription: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 3A
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-4AOptiFuseDescription: FUSE CERM 4A 600VAC 300VDC 5AG
Packaging: Bulk
Package / Case: 5AG, 10mm x 38mm (Midget)
Size / Dimension: 0.409" Dia x 1.500" L (10.40mm x 38.10mm)
Fuse Type: Cartridge, Ceramic
Mounting Type: Requires Holder
Response Time: Slow Blow
Approval Agency: CSA, UL
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 200kA AC, 100kA DC
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 4 A
Voltage Rating - AC: 600 V
Voltage Rating - DC: 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-500MAOptiFuseDescription: CLASS CC FUSE, TIME DELAY 500MA
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-5AOptiFuseDescription: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 5A
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-6AOptiFuseDescription: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC-R-8AOptiFuseDescription: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 8A
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8001-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8001-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8002-H(TE12L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8002-H(TE12L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8002-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8002-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8003-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8005-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8005-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8006-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8006-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8007(TE12L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 27A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8007(TE12LQ)ToshibaMOSFET N-Ch 20V FET 27A 30W 1879pF 26nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8008TOSHIBAQFN
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8008(TE12L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8008(TE12L,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8008(TE12LQ)ToshibaMOSFET N-Ch 30V FET 25A 30W 30nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8009
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8009,LQ(OToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 200µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8061-H,LQ(OToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCC8061-H,LQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8TSON-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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