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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK788055A
Produktcode: 176619
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BUK788055A
auf Bestellung 8639 Stücke:
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BUK7905-40AINexperiaMOSFETs
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BUK7905-40AI,127
Produktcode: 128851
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BUK7905-40AI,127NexperiaNexperia TRENCHPLUS MOSFET
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BUK7905-40AI,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-220-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Current Sensing
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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BUK7905-40AI,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 155A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Rail
auf Bestellung 653 Stücke:
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48+3.72 EUR
49+3.47 EUR
51+3.24 EUR
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500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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BUK7905-40AI127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
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BUK7905-40AIENexperiaMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
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BUK7905-40AIE,127NexperiaMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
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BUK7905-40AIE,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
FET Feature: Current Sensing
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-220-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
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BUK7905-40AIE,127
Produktcode: 155685
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BUK7905-40ATENexperiaMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
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BUK7905-40ATE,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-220-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7905-40ATE,127NexperiaMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
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BUK790540AI
auf Bestellung 8639 Stücke:
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BUK790540AIE
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK790540ATE
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUK7907-40ATC,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
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BUK7907-55AIE,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7907-55AIE,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 140A Automotive AEC-Q101 5-Pin(5+Tab) TO-220 Rail
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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BUK7907-55AIE,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 140A Automotive AEC-Q101 5-Pin(5+Tab) TO-220 Rail
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7907-55ATE,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-5
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7907-55ATE127Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
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BUK790740ATC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUK790755AIE
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUK790755ATE
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUK7908
Produktcode: 86574
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BUK7908-40AIENexperiaMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
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BUK7908-40AIE,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
FET Feature: Current Sensing
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7908-40AIE,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 117A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Rail
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+3.24 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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BUK7908-40AIE,127NexperiaMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
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BUK7908-40AIE127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3140 pF @ 25 V
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
307+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK790840AIE
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7909-75AIENXPTO-220 Транзистори
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BUK7909-75AIE
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7909-75AIE,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Rail
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+6.79 EUR
103+6.38 EUR
500+5.89 EUR
1000+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7909-75AIE,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7909-75AIE,127NexperiaMOSFETs TRENCHPLUS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7909-75AIE,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 5-Pin(5+Tab) TO-220 Rail
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+6.79 EUR
103+6.38 EUR
500+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7909-75ATE,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-5
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-220-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7909-75ATE127Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK790975AIE
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK790975ATE
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK794R1-40BT,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6808 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK794R140BT
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7A1R0-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK7A1R0-100L/SOT8000A/CCPAK12
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7A1R0-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK7A1R0-100L/SOT8000A/CCPAK12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7A1R3-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK7A1R3-100L/SOT8000A/CCPAK12
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7A1R3-100LJNexperia USA Inc.Description: BUK7A1R3-100L/SOT8000A/CCPAK12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 355A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25436 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7C06-40AITE,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 155A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+4.9 EUR
500+4.59 EUR
1000+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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BUK7C06-40AITE,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7C0640AITE
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7C08-55AITE,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Current Sensing
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7C0855AITE
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7C10-75AITE,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1086 Stücke:
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130+5.08 EUR
500+4.75 EUR
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BUK7C10-75AITE,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Current Sensing
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BUK7C10-75AITE,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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BUK7C10-75AITE,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7C10-75AITE,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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63+4 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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BUK7C10-75AITE,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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BUK7C1075AITE
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BUK7C1R2-40EJNexperiaMOSFET BUK7C1R2-40E/D2PAK/REEL13
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BUK7C1R2-40EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BUK7C1R4-40EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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BUK7C1R4-40EJNexperiaMOSFET BUK7C1R4-40E/D2PAK/REEL13
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BUK7C1R8-60EJNexperiaMOSFET BUK7C1R8-60E/D2PAK/REEL 13" Q1
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BUK7C1R8-60EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
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BUK7C2R2-60EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BUK7C2R2-60EJNexperiaMOSFET BUK7C2R2-60E/D2PAK/REEL 13" Q1
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BUK7C3R1-80EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BUK7C3R1-80EJNexperiaMOSFET BUK7C3R1-80E/D2PAK/REEL 13" Q1
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BUK7C3R8-80EJNexperiaMOSFET BUK7C3R8-80E/D2PAK/REEL 13" Q1
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BUK7C3R8-80EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
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BUK7C4R5-100EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BUK7C4R5-100EJNexperiaMOSFET BUK7C4R5-100E/D2PAK/REEL 13" Q
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BUK7C5R4-100EJNexperiaMOSFET BUK7C5R4-100E/D2PAK/REEL 13" Q
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BUK7C5R4-100EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BUK7D25-40E,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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 Mindestbestellmenge: 2550 Stücke
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BUK7D25-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
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BUK7D25-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BUK7D25-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 12A; Idm: 76A; 15W
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
On-state resistance: 46mΩ
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 15W
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BUK7D25-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7D25-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.018 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 19
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BUK7D25-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 1109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
581+0.3 EUR
904+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 581 Stücke
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BUK7D25-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D25-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
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BUK7D25-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D25-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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BUK7D25-40EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 40V 8A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D25-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 1109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
581+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 581 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.92 EUR
6000+0.87 EUR
9000+0.83 EUR
12000+0.8 EUR
15000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A/14A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7D36-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.028 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaMOSFETs BUK7D36-60E/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 12867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.65 EUR
100+0.44 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.92 EUR
6000+0.89 EUR
9000+0.87 EUR
12000+0.83 EUR
15000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 56A; 15W
On-state resistance: 76mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 15W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN6; SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7D36-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
21000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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