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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RN2961FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2962ToshibaDigital Transistors
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RN2962(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN2962(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
29+0.75 EUR
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500+0.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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RN2962FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2962FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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RN2962FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2963(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200mW
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN2963(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
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 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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RN2963(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
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RN2963FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2963FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2963FSTOSHIBA
auf Bestellung 22926 Stücke:
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RN2964(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6
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RN2964(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6
auf Bestellung 2855 Stücke:
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23+0.94 EUR
30+0.7 EUR
100+0.39 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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RN2964FETOSHIBA
auf Bestellung 8200 Stücke:
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RN2964FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2964FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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RN2964FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2964FSTOSHIBA
auf Bestellung 57200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN2965(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
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RN2965(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
28+0.76 EUR
100+0.43 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
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RN2965/YYETOSHIBA
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN2965FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2965FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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RN2965FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2965\YYETOSHIBASOT-363
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN2966FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2966FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2966FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2967(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN2967(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
29+0.73 EUR
100+0.4 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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RN2967FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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RN2967FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2967FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2968TOSHIBA
auf Bestellung 126100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN2968FE
auf Bestellung 935 Stücke:
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RN2968FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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RN2968FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2968FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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RN2969(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
29+0.73 EUR
100+0.42 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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RN2969(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2969FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2969FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2969FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2970FE
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2970FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2970FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2970FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2971(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
60+0.36 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2971(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2971(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2971FETOSHIBA08+PB
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2971FE(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2971FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2972FSTOSHIBA
auf Bestellung 13700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2972HFETOSHIBA
auf Bestellung 10630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2A23A30Carlo Gavazzi Inc.Description: 2 POLE 230VAC 30A AC CONTROL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2A48D30Carlo Gavazzi Inc.Description: 2 POLE 480VAC 30A DC CONTROL
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2F48V50контактор п/п аналоговийCarlo GavazziПромислова автоматизація
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2R2K1HBK-0511PLelonAluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 50V 2.2uF 10% 5x11mm
auf Bestellung 3682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
13+0.26 EUR
100+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2VT19AA-TL
auf Bestellung 2373 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2ZSANKENDIP
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2ZDIPSANKEN
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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