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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N714AMOTOROLA
auf Bestellung 25800 Stücke:
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2N715MOTOROLA
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2N715AMOTOROLA
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2N716MOTOROLA
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2N716AMOTOROLA
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2N717MOTOROLA
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2N717AMOTOROLA
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2N718Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N718MOTOROLA
auf Bestellung 89900 Stücke:
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2N718AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.5A TO18
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N718AMOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
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2N718AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N718AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N718A PBFREECentral Semiconductor2N718A PBFREE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N718A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
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1+4.93 EUR
10+3.17 EUR
100+2.26 EUR
500+2.05 EUR
2000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N718A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 32Vceo 7.0Vebo 25pF
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N719MOTOROLA
auf Bestellung 26600 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N719AMOTOROLA
auf Bestellung 25800 Stücke:
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2N71D
auf Bestellung 100 Stücke:
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2N720MOTOROLA
auf Bestellung 26600 Stücke:
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2N720AMicrosemi Commercial Components GroupDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO-18
auf Bestellung 124 Stücke:
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2N720AMOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
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2N720AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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2N720ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 0.5A TO-18
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2N720AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
auf Bestellung 128 Stücke:
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10+18.24 EUR
12+15.14 EUR
100+12.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N721MOTOROLA
auf Bestellung 26600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N721AMOTOROLA
auf Bestellung 25800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N722MOTOROLA
auf Bestellung 26600 Stücke:
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2N7224Microchip TechnologyMOSFET N Channel MOSFET
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2N7224Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7224JANTXVHarris CorporationDescription: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7224UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7225Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 27.4A TO254AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-254AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7225UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 27.4A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7227Microchip TechnologyMOSFETs N Channel MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7227Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-254AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7227UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 14A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7228Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-254AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7228UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO267AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-267AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-267AB
Packaging: Bulk
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2N722AMOTOROLA
auf Bestellung 25800 Stücke:
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2N723MOTOROLA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7236Microsemi CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO254AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-254AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7236Microchip TechnologyMOSFET P Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7236UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-267AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-267AB
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N723AMOTOROLA
auf Bestellung 25800 Stücke:
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2N724MOTOROLA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N724AMOTOROLA
auf Bestellung 25800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N725MOTOROLA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N725AMOTOROLA
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2N726MOTOROLA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N726AMOTOROLA
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2N727MOTOROLA
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2N727AMOTOROLA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N728MOTOROLA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N728AMOTOROLA
auf Bestellung 25800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N729MOTOROLA
auf Bestellung 26600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N729AMOTOROLA
auf Bestellung 25800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N730MOTOROLA
auf Bestellung 26600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N730AMOTOROLA
auf Bestellung 25800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N731MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N731AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N732MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N732AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N733MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7334Microsemi CorporationDescription: MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Part Status: Active
Supplier Device Package: MO-036AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7334MicrosemiMOSFET N Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7335Microchip TechnologyMOSFETs N Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7335Microsemi CorporationDescription: MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 4 P-Channel
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MO-036AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N733AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N734MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N734AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N735MOTOROLA
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N735AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N736MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N736AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N737MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7370Microchip TechnologyDarlington Transistors 100V Low-Profile Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7370Microchip TechnologyTrans Darlington NPN 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-254
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2N7370Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-254AA
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 100 W
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2N7371Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP DARL 100V 12A TO-254
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-254
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 100 W
Qualification: MIL-PRF-19500/623
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2N7371Microchip TechnologyDarlington Transistors 100V 12A 100W PNP Power BJT THT
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2N7371Microchip TechnologyTrans Darlington PNP 100V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-254 Tray
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2N7373Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N7376Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
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2N7377Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
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2N739AMOTOROLA
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