Produkte > 2SA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1577T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.5A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 1414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1577T106R(HR) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SA1579 | ROHM | 09+ | auf Bestellung 91418 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579/R | ROHM | 09+ | auf Bestellung 7018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579FRAT106 | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579FRAT106 | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579FRAT106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 8437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579T106R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 120V 50MA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 8437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579T106R | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579T106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 180 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 140 Bauform - Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 50 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 451 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 3022 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579T106R/S | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA1579T106S | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579T106S | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 1395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579T106S | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 1395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579T106S | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579T106S | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 1395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579T106S | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 120V 50MA | auf Bestellung 1378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | 2SA1579U3HZGT106R | auf Bestellung 1839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | 2SA1579U3HZGT106R | auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 4808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT323 120V | auf Bestellung 1069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | 2SA1579U3HZGT106R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3HZGT106R | Rohm Semiconductor | 2SA1579U3HZGT106R | auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106 | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 3832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106 | ROHM | Description: ROHM - 2SA1579U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Transistor for high-volt amp | auf Bestellung 2882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 2754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 33 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106S | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106S | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Transistor H. Volt Amplifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1579U3T106S | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 2555 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA158 | NEC | CAN | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1580-4-TB | SANYO | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 14048 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1583 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SA1585S-Q-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 20V 2A TO92S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 820mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1585S-Q-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 20V 2A TO92S Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 820mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1585S-R-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 20V 2A TO92S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 820mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1585S-R-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 20V 2A TO92S Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 820mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1585STPQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 2A SPT Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: SPT Frequency - Transition: 240MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: SC-72 Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1585STPR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 2A SPT Supplier Device Package: SPT Frequency - Transition: 240MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: SC-72 Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586 | Toshiba | PNP, Vceo = -50 V, Ic = -150 mA (max), hfe = 70~400,-55...125C, (Complementary to 2SC4116) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586 | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586 | TOSHIBA | SOT-323 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-GR LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SOT323 50V PNP BIPOLAR TRAN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-GR(T5L,F,T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT -150mA -50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-GR(T5LHITF | TOSHIBA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.1W; SOT323 Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 70...400 Kind of package: reel; tape Case: SOT323 Collector current: 0.15A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 0.1W | auf Bestellung 51475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR(TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT USM PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-GR(TE85L,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F USM PLN(LF),ACTIVE, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-GR(TE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-GR(TE85R) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT USM PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(10-04),DISCON-->2010-01-15 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V | auf Bestellung 105697 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW | auf Bestellung 4393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(B | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOD-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOD-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 36449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOD-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOD-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 42450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM) | auf Bestellung 6937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: USM Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: USM Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 1595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-GR/SG | TOS | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA1586-GRLF(T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-GR\SG | TOSHIBA | SOT-323 | auf Bestellung 6100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y | TOSHIBA | SOT323 | auf Bestellung 888000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SOT323 50V PNP BIPOLAR TRAN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y(T5LCANOF) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y(T5LND,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y(TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT USM PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 11154 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT VCEO - 50V to -150mA HFE 70-400 1dB 10dB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y(TE85R,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V | auf Bestellung 6585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW | auf Bestellung 6801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF(B | Toshiba | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) | auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 736 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin USM T/R | auf Bestellung 1274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1073 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 13120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
