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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N3819_D74ZonsemiDescription: RF MOSFET JFET 25V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 25 V
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2N3819_Qonsemi / FairchildJFETs
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2N381AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N382MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3820onsemiDescription: JFET P-CH 20V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 20 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 10 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V
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2N3820onsemiJFETs P-Channel Transistor General Purpose
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2N3820Central Semiconductor CorpDescription: JFET P-CH 20V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 20 V
Supplier Device Package: TO-92
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Power - Max: 360 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 10 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 mA @ 10 V
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2N3820 PBFREECentral SemiconductorJFET P-Ch JFET 20Vgd
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N3820_D26Zonsemi / FairchildJFET P-Channel Transistor General Purpose
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2N3820_D26ZonsemiDescription: JFET P-CH 20V TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 20 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 10 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3820_Qonsemi / FairchildJFET P-Channel Transistor General Purpose
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2N3821Microchip TechnologyJFETs 50V 300mW JFET THT
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.54 EUR
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2N3821Microchip TechnologyDescription: JFET N-CH 50V TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: TO-72
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500/375
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3821InterFETJFETs JFET N-Channel -50V Low Ciss
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.82 EUR
10+32.74 EUR
100+28.27 EUR
500+26.79 EUR
1000+25 EUR
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2N3821Microchip TechnologyTrans JFET N-CH 50V 3-Pin TO-72
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3822InterFET Corp.JFET N-Channel 50 V 300 mW Through Hole TO-72 Транзистори
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2N3822Microchip TechnologyJFETs 50V 300mW JFET THT
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2N3822Microchip TechnologyTrans JFET N-CH 50V 3-Pin TO-72
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3822TI
auf Bestellung 11980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3822InterFETJFETs JFET N-Channel -50V Low Ciss
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 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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2N3822Microchip TechnologyDescription: JFET N-CH 50V TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: TO-72
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 500 pA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500/375
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3823InterFETJFETs JFET N-Channel -30V Low Ciss
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.82 EUR
10+32.74 EUR
100+28.27 EUR
500+26.79 EUR
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2N3823Microchip TechnologyTrans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-72
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 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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2N3823Microchip TechnologyDescription: JFET N-CH 30V TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-72
Grade: Military
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 500 pA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500/375
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.65 EUR
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2N3823Microchip TechnologyJFETs JFET
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2N3823MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; 30V; 20mA; 300mW
Type of transistor: N-JFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.3W
Mounting: THT
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 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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2N3823InterFET Corp.JFET N-Ch -30V FET 10mA 300mW 2mW VHF SS Amp TO-72-4 Транзистори
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2N3823UBMicrochip TechnologyDescription: JFET N-CH 30V UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 500 pA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 15 V
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3823UBMicrochip TechnologyJFETs JFET
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3823UBMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; 30V; 4mA; 300mW
Type of transistor: N-JFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4mA
Power dissipation: 0.3W
Mounting: SMD
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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2N3823UBMicrochip TechnologyTrans JFET N-CH 30V 4-Pin Case UB
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3823UB/TRMicrochip Technology2N3823UB/TR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3823UB/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET N-CH 30V UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 8 V @ 500 pA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 15 V
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3823UB/TRMicrochip TechnologyJFETs JFET
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3823UB/TRMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; 30V; 4mA; 300mW
Type of transistor: N-JFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4mA
Power dissipation: 0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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2N3824Microchip TechnologyJFETs JFET
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3824Microchip TechnologyDescription: JFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3824InterFETJFETs JFET N-Channel -50V Low Ciss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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2N3824TI
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3824Microchip Technology2N3824
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3825MOTOROLA
auf Bestellung 23900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3826MOTOROLA
auf Bestellung 23900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3827MOTOROLA
auf Bestellung 23900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3828MOTOROLA
auf Bestellung 23900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3829MOTOROLA
auf Bestellung 23900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N382AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N383MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3830MOTOROLA
auf Bestellung 23900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3831MOTOROLA
auf Bestellung 23900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3832MOTOROLA
auf Bestellung 23900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3838Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600MA Dual Small-Signal BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3838Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-FlatPack
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 6-FlatPack
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3838/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600MA Dual Small-Signal BJT TR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3838/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-FlatPack
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 6-FlatPack
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3839STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N3839onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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2N3839N/A
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3839 LEADFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN VHF/UHF AM sistors
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2N3839 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 15V 40MA 200MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: TO-72
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3839 PBFREECentral SemiconductorTrans RF BJT NPN 15V 0.04A 300mW 4-Pin TO-72
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3839 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN VHF/UHF AM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3839 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 15Vceo 2.5V 40mA 200mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3839 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 15V 40MA 200MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: TO-72
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3839AMOTOROLA
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N383AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N384MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N384/33CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3840MOTOROLA
auf Bestellung 23900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3841MOTCAN
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3842MOTCAN
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3848Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-63
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3848Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3849Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N384AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N385MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3850Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3850Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3851Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3851Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3852Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3852Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200µA, 1mA
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 30 W
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2N3853Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 30 W
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2N3853Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N3857MOTCAN
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2N3858Sprague
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2N3858AGE
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2N3859AonsemiDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
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2N3859Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N3859A_D75ZonsemiDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
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2N385AMOTOROLA
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2N386MOTOROLA
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2N3860
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2N3860 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 100MA 360MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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2N3860 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,100mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N3860 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30V,100mA,360mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
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2N3860 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 100MA 360MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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2N3860 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
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2N3860 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 30V 100MA 360MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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2N3860 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 100MA 360MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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2N3860 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 4.0pF
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