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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
Jantx2N3419SMicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3420Microsemi HI-REL [MIL]Description: TRANS NPN 60V 3A
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3420MOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Jantx2N3420SMicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3420SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 3A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3421MICROSEMITO-5/NPN MEDUIM POWER SILICON TRANSISTOR 2N3421
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3421Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.13 EUR
100+24.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3421Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 3A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/393
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3421PMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3421PMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3421S
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3421SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/393
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3421U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 3A U4
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 300nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: U4
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439MOTOROLA
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.53 EUR
25+20.31 EUR
100+19.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439LN/A
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A TO5
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439PMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439PMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW PinD Test Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439SN/A
auf Bestellung 19800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439U4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A UA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439UAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A UA
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439UAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3439UA/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT TR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N344MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3440Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A TO-39
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3440Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT THT
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3440MICROSEMITO-39/ NPN TRANSISTOR 2N3440
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3440LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3440L
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3440LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A TO-5
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3440U4Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3440U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 2UA U4
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: U4
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3440UAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT SMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3440UAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A UA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Grade: Military
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3441MOTOROLA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3441Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3441Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 140V 3A TO66
Qualification: MIL-PRF-19500/369
Grade: Military
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3442Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 140V 10A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 6 W
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/307
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3442
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3442Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140V 10A 6W NPN Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3444MOTOROLA
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3467Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 40V 1A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/348
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+666.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3467MOTOROLA
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3467LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3468Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3468Microsemi CorporationDescription: TRANS PNP 50V 1A TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3468MICROSEMITO-39/PNP Transistor 2N3468
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3468LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3468SMOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3486MOTOROLA
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3486AMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3486AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO46-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-46-3
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/392
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3486A/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3498MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3498Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3498Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Grade: Military
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3498/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3498LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3498LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3498L/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3499Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3499Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3499
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3499/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3499LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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Jantx2N3499LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO5
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Jantx2N3499L/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JANTX2N3500Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANTX2N3500MOTOROLA
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JANTX2N3500Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Grade: Military
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
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Jantx2N3500/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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JANTX2N3500LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANTX2N3500LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JANTX2N3500L/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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JANTX2N3501Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO-39
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Grade: Military
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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JANTX2N3501MICROSEMITO-39/NPN SILICON TRANSISTOR 2N3501
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JANTX2N3501Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
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JANTX2N3501Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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Jantx2N3501/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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JANTX2N3501AMOTOROLA
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JANTX2N3501LMOTOROLA
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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JANTX2N3501LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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JANTX2N3501LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-5
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Grade: Military
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JANTX2N3501LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Jantx2N3501L/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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JANTX2N3501U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A U4
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: U4
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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JANTX2N3501U4/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A U4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: U4
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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JANTX2N3501UBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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JANTX2N3501UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A UB
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Grade: Military
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
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JANTX2N3501UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT
auf Bestellung 71 Stücke:
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1+44.51 EUR
100+41.32 EUR
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JANTX2N3501UBMICROSEMIUB/NPN TRANSISTOR 2N3501
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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JANTX2N3501UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JANTX2N3501UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANTX2N3504MOTOROLA
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JANTX2N3504AMOTOROLA
auf Bestellung 11200 Stücke:
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JANTX2N3505MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
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JANTX2N3506MOTOROLA
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