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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
JANTX2N3498LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3498LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANTX2N3498L/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JANTX2N3499Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JANTX2N3499Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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JANTX2N3499
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Jantx2N3499/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jantx2N3499LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3499LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO5
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jantx2N3499L/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JANTX2N3500MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3500Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Grade: Military
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3500Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3500/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3500LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3500LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3500L/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO-39
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Grade: Military
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 753-757 Tag (e)
1+15.05 EUR
100+13.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501MICROSEMITO-39/NPN SILICON TRANSISTOR 2N3501
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3501/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501AMOTOROLA
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501LMOTOROLA
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-5
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Grade: Military
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3501L/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A U4
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: U4
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501U4/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A U4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: U4
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501UBMICROSEMIUB/NPN TRANSISTOR 2N3501
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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JANTX2N3501UBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A UB
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Grade: Military
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.51 EUR
100+41.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/366
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3501UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3504MOTOROLA
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3504AMOTOROLA
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3505MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3506Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3506MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3506Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Power BJT THT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.15 EUR
10+44.4 EUR
25+36.1 EUR
100+33.56 EUR
250+32.9 EUR
500+32.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3506Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3506AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3506AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 40V 3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3506ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3506ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Long-Lead Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3506LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3506LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 40V 3A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3507Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3507Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-39
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Grade: Military
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3507MOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3507Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 3A 1W Power BJT THT
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.43 EUR
100+17.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3507AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3507AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3507AMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3507ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3507ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3507LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 3A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/349
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3507LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3507SMOTOROLA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3543MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3544MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3545MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3546MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3547MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3548MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3549MOTOROLA
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3553MSC/MOT
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3554MOTOROLA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3570MOTOROLA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANTX2N3571MOTOROLA
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JANTX2N3572MOTOROLA
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JANTX2N3583Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JANTX2N3583Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 175V 1A TO66
Power - Max: 35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
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JANTX2N3584MOT98+ TO-66
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JANTX2N3584Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 2.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/384
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JANTX2N3584Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 2A 2.5W Power BJT THT
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JANTX2N3585Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JANTX2N3585MOT
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JANTX2N3585Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 2A TO66
Qualification: MIL-PRF-19500/384
Power - Max: 2.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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JANTX2N3585PMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Jantx2N3634Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jantx2N3634MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Jantx2N3634LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jantx2N3634LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANTX2N3634UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
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JANTX2N3634UBMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANTX2N3634UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JANTX2N3635Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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JANTX2N3635Semicoa SemiconductorsTrans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-39
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JANTX2N3635Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Small-Signal BJT THT
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JANTX2N3635Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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JANTX2N3635MOTOROLA
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JANTX2N3635Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 937 Stücke:
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7+28.66 EUR
10+25.32 EUR
25+23.51 EUR
100+22.02 EUR
500+20.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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JANTX2N3635Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Jantx2N3635LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Jantx2N3635LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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JANTX2N3635UBMicrosemi CorporationDescription: TRANS PNP 140V 1A
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JANTX2N3635UBMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 4-Pin Case UB Waffle
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