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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | auf Bestellung 23682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | auf Bestellung 23500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD13385F5T | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5 | auf Bestellung 1703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD13385F5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 41A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.4W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15380F3 | Texas Instruments | MOSFETs 20-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD15380F3T | auf Bestellung 7641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD15380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD15380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 115 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15380F3 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 500mA; 500mW; PICOSTAR3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PICOSTAR3 Mounting: SMD Gate charge: 281pC Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: 10V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD15380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | auf Bestellung 58403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD15380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD15380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD15380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD15380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD15380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD15380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V | auf Bestellung 9242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD15380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15380F3T | Texas Instruments | MOSFETs 20-V N-Ch FemtoFET A 595-CSD15380F3 A 59 A 595-CSD15380F3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; Idm: 1.6A; 1.4W Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: PICOSTAR3 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.9A Power dissipation: 1.4W Pulsed drain current: 1.6A On-state resistance: 4Ω Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15571Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD15571Q2 | Texas Instruments | MOSFETs 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 6341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD15571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD15571Q2 Produktcode: 130599
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD15571Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V | auf Bestellung 1439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16126 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W Area (L x W): 192in² (1239cm²) Container Type: Box Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Design: Hinged Door, Lid Height: 5.984" (152.00mm) Thickness: 18 Gauge Material: Metal, Steel Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm) Color: Gray Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16128 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Design: Hinged Door, Lid Height: 7.992" (203.00mm) Thickness: 18 Gauge Material: Metal, Steel Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm) Color: Gray Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Part Status: Active Area (L x W): 192in² (1239cm²) Container Type: Box | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16128 | Pentair | Gray Steel Wall Mount Enclosure | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16128LG | Pentair | Light Gray 16-Gauge Steel Wall Mount Single Door Enclosure | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD161610 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W Area (L x W): 255in² (1645cm²) Container Type: Box Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Design: Hinged Door, Lid Height: 10.000" (254.00mm) Thickness: 18 Gauge Material: Metal, Steel Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Color: Gray Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD161610LG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD161610SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: WALL MOUNT TYPE 4X ENCLOSURE Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD161610SS6 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: WALL MOUNT TYPE 4X ENCL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16166 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W Part Status: Active Area (L x W): 255in² (1645cm²) Container Type: Box Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Design: Hinged Door, Lid Height: 5.984" (152.00mm) Thickness: 18 Gauge Material: Metal, Steel Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Color: Gray Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16166 | Pentair | Steel Wall Mount Enclosure | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16166EMCSS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: STAINLESS EMC ENCL. 16.00X16.0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16166LG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X6.00 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16166LGEMC | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: EMC ENCL. 16.00X16.00X6.00 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16166SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W Area (L x W): 255in² (1645cm²) Container Type: Box Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A Design: Hinged Door, Lid Height: 5.984" (152.00mm) Thickness: 16 Gauge Material: Metal, Stainless Steel Color: Natural Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount Packaging: Bulk Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16166SS6 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: STAINLESS ENCL. 16.00X16.00X6. Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16168 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W Packaging: Bulk Features: Sealing Gasket, Wall Mount Color: Gray Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 255in² (1645cm²) Part Status: Active | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16168 | NVENT HOFFMAN | Description: NVENT HOFFMAN - CSD16168 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY Gehäusefarbe: Grey Außenhöhe - imperial: 16 IP-Schutzart: IP66 NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13 Außentiefe - metrisch: 203 Außenhöhe - metrisch: 406 Außentiefe - imperial: 8 Außenbreite - metrisch: 406 Produktpalette: Concept Series Gehäusetyp: Electrical / Industrial Außenbreite - Zoll: 16 Gehäusematerial: Steel SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16168LG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: ENCLOSURE 16.00X16.00X8.00 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16168SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX S STL NAT 15.98"L X 15.98"W Part Status: Active Area (L x W): 255in² (1645cm²) Container Type: Box Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A Design: Hinged Door, Lid Height: 7.992" (203.00mm) Thickness: 16 Gauge Material: Metal, Stainless Steel Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm) Color: Natural Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount Packaging: Bulk | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16168SS6 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: STAINLESS ENCL. 16.00X16.00X8. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16168SSST | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: 304SS TYPE 4X WALLMT SLOPE TOP Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16168ST | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: CONCEPT SLOPE TOP ENC Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD162010 | Pentair | Gray Steel Wall Mount Enclosure | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16206 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: ENCLOSURE 16.00X20.00X6.00 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16206LG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: ENCLOSURE 16.00X20.00X6.00 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16206LGEMC | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: EMC ENCL. 16.00X20.00X6.00 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16208 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W Container Type: Box Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Design: Hinged Door, Lid Height: 7.992" (203.00mm) Thickness: 18 Gauge Material: Metal, Steel Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm) Color: Gray Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Part Status: Active Area (L x W): 320in² (2065cm²) | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 12552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16301Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.3W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 1819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16301Q2 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET | auf Bestellung 47320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16301Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.3W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 12552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16301Q2 | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 12,5, Qg, нКл = 2,8 @ 4,5 В, Rds = 24 мОм @ 4 А, 8 В, Ugs(th) = 1,55 @ 250 мкА, Р, Вт = 2,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 6-SON Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16301Q2G4 | Texas Instruments | MOSFETs 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16321Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2400 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 3.1W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 3504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16321Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET | auf Bestellung 4877 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | CSD16321Q5 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5 Produktcode: 94698
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16321Q5 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 2400 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 3.1W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16321Q5C | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5C | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5C | Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5T | Texas Instruments | Description: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5T | Texas Instruments | 25-V, N Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16321Q5T | Texas Instruments | MOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150 | auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16321Q5T | Texas Instruments | Description: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD16321Q5T | Texas Instruments | 25-V, N Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD16322Q5 | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFETs | auf Bestellung 2337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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