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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ES6T48R1KGBMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6T48R1KGB3MersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6T48R1KGCMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6T48R1KGN1BMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6T48R1KRA3MersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
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ES6T48R1KRCMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
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ES6T48R1KRN1BMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6T48R1KRN6A2MersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6T48R2CMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6T48R2KGN1AMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6T48R3KGCMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U1T2RROHM SemiconductorMOSFET 1.5V Drive Pch+SBD MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U2T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U2T2RROHM SemiconductorMOSFET ULTRA-LOW OHMIC RESISTOR; 3/4W; PMR18(1206) PKG
auf Bestellung 7680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U3T2CRROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+SBD MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U3T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U3T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
24+0.9 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U41T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U41T2RROHM SemiconductorMOSFET ULTRA-LOW OHMIC RESISTOR; 3/4W; PMR18(1206) PKG
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U42T2RROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET P-CH 20V 1A TR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6U42T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6W1K0JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 1K OHM 5% 6W AXIAL
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6W1K0JTE ConnectivityWirewound Resistors - Through Hole ES 6WATT 1K0 5% T/B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6W2R7JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 2.7 OHM 5% 6W AXIAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6WR22JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 0.22 OHM 6W 5% AXIAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6WR22JTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole ES 6 WATT R22 5% T/B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6X4-6AC4-5MLAIRDDescription: LAIRD - ES6X4-6AC4-5M - Abschirmstreifen, Profilstreifen, Monel über Neoprenschwamm, 5m x 6mm x 4mm
tariffCode: 75081000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Produkttiefe: 4mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Produktlänge: 5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: ZEMREX ES
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Grundbestandteil: Monel über Neoprenschwamm
Schirmung: Profilstreifen
Produktbreite: 6mm
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+107.64 EUR
10+82.95 EUR
20+75.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES6X4-6AC4-FALAIRDDescription: LAIRD - ES6X4-6AC4-FA - Abschirmstreifen, Profilstreifen, Monel über Neoprenschwamm, 10m x 6mm x 4mm
tariffCode: 74198090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Produkttiefe: 4mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Produktlänge: 10mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: ZEMREX ES
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Grundbestandteil: Monel über Neoprenschwamm
Schirmung: Profilstreifen
Produktbreite: 6mm
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+178.27 EUR
5+155.59 EUR
10+135.51 EUR
20+123.81 EUR
40+115.37 EUR
100+113.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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