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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
F3L75R12W1H3B27BOMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 45A 275W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 275 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.1 EUR
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F3L75R12W1H3B27BOMA1Infineon TechnologiesIGBT Modules EASY STANDARD
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F3L75R12W1H3B27BOMA1INFINEONDescription: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 275W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+78.85 EUR
5+69.37 EUR
10+60.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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F3L75R12W1H3B27BOMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 45A 275W 22-Pin EASY1B-2 Tray
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+87.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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F3L75R12W1H3BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules EASY
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F3L75R12W1H3BPSA1Infineon TechnologiesF3L75R12W1H3BPSA1
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 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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F3L75R12W1H3BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY AG-EASY1B-311
Packaging: Tray
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.56 EUR
24+44.38 EUR
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F3L75R12W1H3BPSA1Infineon TechnologiesF3L75R12W1H3BPSA1
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+54.72 EUR
100+51.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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F3L75R12W1H3PB11BPSA1Infineon TechnologiesF3L75R12W1H3PB11BPSA1
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+67.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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F3L75R12W1H3PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY AG-EASY1B-311
Packaging: Tray
Part Status: Active
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+101.16 EUR
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F3L75R12W1H3PB11BPSA1Infineon TechnologiesF3L75R12W1H3PB11BPSA1
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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F3L75R12W1H3PB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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F3L75R12W1H3_B27Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.85 EUR
10+39.63 EUR
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F3L75R12W1H3_B27
Produktcode: 218584
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Modulare Elemente > Blöcke und Module
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F3L75R12W1H3_B27InfineonF3L75R12W1H3_B27 F3L75R12W1H3B27BOMA1 IGBT MOD 1200V 45A 275W Силові IGBT-модулі
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F3L8MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+454.29 EUR
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+277.09 EUR
5+239.73 EUR
10+205.07 EUR
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+280.1 EUR
18+246.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+219.91 EUR
10+202.17 EUR
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F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7210pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 33mA
Produkt ist nicht verfügbar
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F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+320 EUR
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F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+509.77 EUR
5+431.73 EUR
10+360.09 EUR
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F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+410.45 EUR
5+378.75 EUR
10+347.41 EUR
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F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7210pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 33mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+334.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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