Produkte > PMF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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| PMFPB6532UP | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| PMFPB6532UP,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| PMFPB6532UP,115 | Nexperia | MOSFET FET-KY P-Channel 20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| PMFPB6532UP,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| PMFPB6545UP | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| PMFPB6545UP,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| PMFPB6545UP,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| PMFPB8032XP,115 | Nexperia | MOSFET Broad small-signal MOSFET Portfolio | auf Bestellung 5147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| PMFPB8032XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 485mW (Ta), 6.25W (Tc) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| PMFPB8032XP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMFPB8032XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-1118, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 485mW Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| PMFPB8032XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 485mW (Ta), 6.25W (Tc) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMFPB8040XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 485mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | auf Bestellung 161589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMFPB8040XP,115 | Nexperia | MOSFET 20V, SOT1118 MOSFET-SCHOTTKY | auf Bestellung 3475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| PMFS | Panduit | Cable Mounting & Accessories Box to Stud Support Adjustable For 1/4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| PMFS | Panduit Corp | Description: BOX TO STUD SUPPORT ADJ FOR 1/4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |