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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
XP4NA2R2HCSTYAGEO XSemiMOSFETs
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NA2R4HYAGEOMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NA2R4ITYAGEOMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NA2R4PYAGEOMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NA2R6CMTYAGEOMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NA2R8MTYAGEOMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NA3R3ITYAGEOMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NA3R5HCSTYAGEOMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NA3R8HYAGEOMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NA3R8H-ATYAGEOMOSFETs
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XP4NAR72CXTYAGEOMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NAR85CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 61.4A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9120 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NAR85CMTYAGEO XSemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NAR95CMT-AX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
131+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.38 EUR
10+8.32 EUR
100+6.01 EUR
500+5.02 EUR
1000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
90+2.59 EUR
131+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.59 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.37 EUR
3000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4P018MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -40V 9.4A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4P090NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4P090N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4P090 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+0.71 EUR
575+0.4 EUR
642+0.33 EUR
782+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4P090NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4P090N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4P090 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+0.71 EUR
575+0.4 EUR
642+0.33 EUR
782+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4P090NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+1.02 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.43 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XP4X230/1DELTA DESIGNDescription: DELTA DESIGN - XP4X230/1 - Antriebseinheit, Xenon, blinkend, 1W, 230V AC, IP67, 35mm hoch
tariffCode: 85412900
Linsenfarbe: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, V AC: 230V
Optisches Signal: Blitzlicht
Nennleistung: 1W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
IP- / NEMA-Schutzart: IP67
Außenhöhe: 35mm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, V DC: -
Linsendurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+79.06 EUR
5+64.88 EUR
10+53.66 EUR
20+52.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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