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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RS1G-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.19 EUR
3600+0.18 EUR
5400+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-E3/61TVishayFast Recov. SMD 1A,400V, 150NS Діоди та діодні збірки
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-E3/61TVISHAYDescription: VISHAY - RS1G-E3/61T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
348+0.71 EUR
433+0.54 EUR
663+0.32 EUR
878+0.25 EUR
1020+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-E3/61TVishayDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-E3/61T.VISHAYDescription: VISHAY - RS1G-E3/61T. - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 150
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RS1G
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-E3C/HVishay General SemiconductorRectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-E3\5ATVishayRectifiers 1A, 400V, 150NS, SMA, GPP, SM FS. RECT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-E3\61TVishay SemiconductorsRectifiers 1A, 400V, 150NS, SMA, GPP, SM FS. RECT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-HFComchip TechnologySMD Fast Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-HFComchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
73+0.29 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-HFComchip TechnologySMD Fast Recovery Rectifier
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-HFComchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-HFComchip TechnologyRectifiers RECTIFIER FAST RECOVERY 400V 1A SMA
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-LF/RG.55AVISHAY
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-M3/5ATVishay SemiconductorsRectifiers 1A,400V,SMRECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 22500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-M3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 22500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-M3/61TVishay SemiconductorsRectifiers 1A,400V,SMRECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 19800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 19800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-M3\5ATVishayRectifiers 1A, 400V, 150NS, SMA, GPP, SM FS. RECT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 22500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-M3\61TVishayRectifiers 1A, 400V, 150NS, SMA, GPP, SM FS. RECT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 19800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-R1-00001PanjitPanjit SMA/FR/SMD/RSM-10AH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-TTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-TTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-TTaiwan SemiconductorDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-T
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-T M2GTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns 1A 400V Fast R ecovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-T R2GTaiwan SemiconductorDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-T R2GTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-T R3GTaiwan SemiconductorDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G-T R3GTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns 1A 400V Fast R ecovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G/1Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G/1Vishay SemiconductorsRectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G120MNTBROHMDescription: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
200+1.17 EUR
313+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G120MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.57 EUR
315+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G120MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
auf Bestellung 3373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
21+1 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G120MNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G120MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G120MNTBROHMDescription: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
200+1.17 EUR
313+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G120MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.8 EUR
324+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G120MNTBROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 48A
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 9.4nC
On-state resistance: 20.7mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G120MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G14XF5Runic TechnologyDescription: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger Input, Open Drain
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 1.05V ~ 3.4V
Input Logic Level - Low: 0.6V ~ 1.15V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 2.7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
22+0.98 EUR
25+0.88 EUR
100+0.77 EUR
250+0.71 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G14XF5Runic TechnologyDescription: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP SOT23
Features: Schmitt Trigger Input, Open Drain
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 1.05V ~ 3.4V
Input Logic Level - Low: 0.6V ~ 1.15V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 2.7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.63 EUR
6000+0.62 EUR
9000+0.61 EUR
15000+0.6 EUR
30000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G150MNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 4502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.49 EUR
100+1.15 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G150MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.71 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G150MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G150MNTBROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 60A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 43A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 13.3mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G150MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
auf Bestellung 6227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.68 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G180MNTBROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 72A
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 19.5nC
On-state resistance: 9.2mΩ
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G180MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G180MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
387+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G180MNTBROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 40V 18A
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.48 EUR
100+1.67 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G180MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G180MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G201ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.19 EUR
100+2.92 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G201ATTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.89 EUR
63+2.74 EUR
100+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G201ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.47 EUR
50+5.18 EUR
100+3.34 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G201ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 P-CH 40V 20A
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.5 EUR
100+3.28 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.62 EUR
2500+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G201ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G201ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G201ATTB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -78A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G260MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V
auf Bestellung 2288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
10+3.18 EUR
100+2.19 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G260MNTBROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 104A
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G260MNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.44 EUR
250+1.36 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G260MNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G260MNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G300GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G300GNTBROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 120A; 35W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 120A
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 56.8nC
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G300GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.78 EUR
102+1.68 EUR
250+1.58 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G300GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G300GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
auf Bestellung 16294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.32 EUR
100+2.28 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1G300GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.78 EUR
102+1.68 EUR
250+1.58 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GAFLUGUANG ELECTRONICCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; SMA flat; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA flat
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GALTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GALTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Thin SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GALTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; thinSMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Case: thinSMA
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GALTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Thin SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GAL M2GTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GAL M3GTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GAL M3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GAL M3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R
auf Bestellung 7000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GALHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Thin SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14000+0.099 EUR
28000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 14000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GALHTaiwan SemiconductorDiode Switching 400V 1A 2-Pin Thin SMA T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GALHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Thin SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GALHTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GALHTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; thinSMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Case: thinSMA
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GALH M2GTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 28000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GBLUGUANG ELECTRONICCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; SMB; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
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RS1GB-13Diodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 400V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GB-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - RS1GB-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.79 EUR
484+0.48 EUR
579+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GB-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMB; Ufmax: 1.3V; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
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RS1GB-13-FDiodes ZetexDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMB T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
741+0.24 EUR
1194+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 741 Stücke
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RS1GB-13-FDiodes ZetexDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMB T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GB-13-FDiodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 400V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
auf Bestellung 108396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
54+0.39 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GB-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - RS1GB-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.79 EUR
484+0.48 EUR
579+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GB-13-FDiodes ZetexDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMB T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GB-13-FDiodes ZetexDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMB T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
741+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 741 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GB-13-FDiodes IncorporatedDescription: DIODE STANDARD 400V 1A SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SMB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GB-13-FDiodes ZetexDiode Switching 400V 1A 2-Pin SMB T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1GB-13-FDiodes IncorporatedRectifiers 1.0A 400V
auf Bestellung 8870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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