Produkte > 2SA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| 2SA1815-4-TB-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: TRANS PNP 12V 50MA 3CP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1815-4-TB-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: TRANS PNP 12V 50MA 3CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1815-4-TB-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | Description: TRANS PNP 12V 50MA 3CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1815-GR | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SA1818 | auf Bestellung 17400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SA1819 | auf Bestellung 17400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SA182 | NEC | CAN | auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1820 | auf Bestellung 17400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SA1824S-AY | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1824S-AY - 2SA1824S-AY, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1824S-AY | Sanyo | Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 No Tab Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: FLP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1824S-AY-ON | onsemi | Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 No Tab Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: FLP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1825Z | SANYO | TO-220F | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1826S-AY | onsemi | Description: BIP PNP 3A 100V Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1826S-AY | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1826S-AY - 2SA1826S-AY, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1827S-AY | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 4A FLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 No Tab Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: FLP Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA183 | NEC | CAN | auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1831 | SANYO | TO-220F | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-GR | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 60018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-GR LXHF | Toshiba | SOT416 50V PNP BIPOLAR TRAN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-GR(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 120mW 3-Pin SSM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | auf Bestellung 31175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LF(B | Toshiba | Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 120mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 2938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1214 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 120mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SSM Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 120 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SSM Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 120 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-GR-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-Y | TOSHIBA | SOT323 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-Y SOT416-SY | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA1832-Y LXHF | Toshiba | SOT416 50V PNP BIPOLAR TRAN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-Y TE85L,F | TOSHIBA | SOT23 | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 120mW 3-Pin SSM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1832-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 120mW 3-Pin SSM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | auf Bestellung 11562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1832-Y,LF(B | Toshiba | 2SA1832-Y,LF(B | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 120mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 463 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 120mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Power - Max: 120 mW Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1832-Y,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM) | auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1832-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Power - Max: 120 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 3681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1832-Y,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832-Y,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-Y,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1832-Y-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT523 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832F-GR | TOSHIBA | 06+ SOT-523 | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832F-Y | TOSHIBA | SOT423 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832F-Y/SY | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 7818 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832FT-GR | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SA1832FV | TOSHIBA | SOT-490 | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832FV/SG | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 8018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1832Y(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R | auf Bestellung 2145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1833 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SA1834 | ROHM | SOT252 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1834 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1834RTL | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SA1834STL | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SA1834TL | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1834TLR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1834TLR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 10A | auf Bestellung 2101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1834TLR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 10A CPT3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: CPT3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A | auf Bestellung 656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1834TLR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 1327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1834TLR | ROHM | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA1834TLR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 10A CPT3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: CPT3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1834TLS | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 10A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1834TLS | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 10A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1836-T1 | NEC | SOT-523 | auf Bestellung 360000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1836-T1-A | Renesas | Description: 2SA1836-T1-A - PNP SILICON EPITA Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Bulk Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-75 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 41976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1836/M6 | NEC | auf Bestellung 27300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SA1837 | Toshiba | Транзистор PNP (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=70MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SC4793.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837 | EVVO | Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220F Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 50 W | auf Bestellung 2525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1837 Produktcode: 27098
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| Toshiba | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-220 Grenzfrequenz fT, MHz: 70 MHz Spannung Uce, V: 230 V Spannung Ucb, V: 230 V Strom Ic, A: 1 A Stromverstärkung h21, max: 320 | verfügbar: 10 St.
auf Bestellung: 90 St.
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| 2SA1837 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT 220NIS1 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837 | Toshiba | Транзистор PNP (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=70MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SC4793.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837 | Toshiba | TO-220FP-3, PNP, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=70MHz, hfe=320, -55...+150 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: TRANS PNP -230V -1A To-220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 500mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-220F Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA1837 (F,M) | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837 (M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837(F) | TOS | 08+; | auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837(F,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP - 230V -1A 20W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837(F,M) | Toshiba | TO-220FP-3, PNP, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=70MHz, hfe=320, -55...+150 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837(F,M) | Toshiba | Транзистор PNP, Uceo, В = 230, Ic = 1 А, ft, МГц = 70, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Full Pack Од. вим: ш Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837(LBSAN,F,M) | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837(LBSAN,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837(M) | Toshiba | TO-220FP-3, PNP, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=70MHz, hfe=320, -55...+150 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837(M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT 220NIS1 PLS PLNN,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SA1837(PAIO,F,M) | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
