Produkte > 2SC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| 2SC2712-BL,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-BL,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-BL,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-BL,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 2822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-BL,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-BL,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini) | auf Bestellung 7483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-BL,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2712-BL,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 2488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-BL,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2712-BL,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 2488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-BL-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-BL-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-BL-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-BL/LL | TOSHIBA | SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-F4 | N/A | SOT-23 05+ | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-G | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 50V 150MW 150MA NPN SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 2531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-G | SLKOR | Transistor NPN; 400; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 125°C; Equivalent: 2SC2712-GR,LF; 2SC2712-GR(TE85L,F; 2SC2712-GR(T5L,F,T); 2SC2712GT1G; 2SC2712-GR-TP; 2SC2712-G SLKOR T2SC2712 SLK Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-G | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 50V 150MW 150MA NPN SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-G | 03+ | auf Bestellung 1610 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC2712-GR | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR | TOSHIBA | SOT23 | auf Bestellung 3030499 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR (TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR (TE85L,F) | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V NPN BIPOLAR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(LG) | auf Bestellung 1008 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC2712-GR(T5L.M) | TOSHIBA | SOT23-LR | auf Bestellung 5547 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(T5LOKI) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(T5LTSTF) | TOHSIBA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC2712-GR(T5RTRKF) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TE85L) | TOSHIBA | SOT23-LR | auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TE85L) SOT23- | TOSHIBA | auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 610 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TE85L,F | TOSHIBA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 70...700 Mounting: SMD Frequency: 80MHz Kind of package: reel; tape | auf Bestellung 5589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-GR(TE85L,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT 150mA 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TE85R) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TE85R) | TOSHIBA | SOT23-LR | auf Bestellung 4084 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TE85R,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR(TLSPFT | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: S-Mini Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2712-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R | auf Bestellung 2265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2712-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-GR,LXGF(T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) | auf Bestellung 7704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2712-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2712-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-GR-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GR-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GRLXGF(B | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI 50V .15A NPN EPITAXIAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GRT5L.MSOT23-LG | TOSHIBA | auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC2712-GRT5L.TSOT23-LG | TOSHIBA | auf Bestellung 2587 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC2712-GRTE85LF | Toshiba | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 150 мВ, Uceo, В = 50, Ic = 150 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 80,... Транзистори Корпус: TO-236MOD Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 2820 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-GRTE85LSOT23-LG | TOSHIBA | auf Bestellung 4134 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC2712-LLL | TOSHIBA | 00+ SOT-23 | auf Bestellung 12100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-O | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 26668 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-O(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-O(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-O-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-O-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-O-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT-23 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-OTE85LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-OTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236 Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 12401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-OTE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans | auf Bestellung 8513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-OTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-T(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 50V 150MW 120@2MA,6V 150MA NPN S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-Y Produktcode: 214321
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| 2SC2712-Y | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 50V 150MW 120@2MA,6V 150MA NPN S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-Y LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V NPN BIPOLAR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y(T5LND) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-07)/OBSOLETE(10-10), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y(T5R,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y(T5R,PP) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y(TE85L) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-07)/OBSOLETE(10-10), | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y(TE85L) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 50684 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT 150mA 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y(TE85R,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y(TE85R,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN,ACTIVE, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 69319 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V | auf Bestellung 38860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-Y,LF(B | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | auf Bestellung 8532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC2712-Y,LF(B | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2712-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 200mW Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC2712-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2712-Y,LXGF(T | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC2712-Y,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 635 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC2712-Y,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) | auf Bestellung 6190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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