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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SA1837,F(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,HFEMBJF(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,HFEMBJF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,HFEYHF(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,HFEYHF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,HFEYHF(MToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,HFEYHF(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,NSEIKIF(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,NSEIKIF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,S1CSF(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,S1CSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,TOA1F(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,TOA1F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,WNLF(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,WNLF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,YHF(JToshibaToshiba
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2SA1837,YHF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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2SA1837,YHF(MToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837,YHF(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
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2SA1837-2SC4793
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1837-LBTOSHIBA07+ TO-220
auf Bestellung 2229 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1837-OJSMSEMIPNP 230V 1A Complementary to 2SC4793 2SA1837(F,M) T2SA1837
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1837/2SC4793TOSHIBA
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1837/2SC4793 Transistorpaar
Produktcode: 57727
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
Grenzfrequenz fT, MHz: 70 МГц
Spannung Uce, V: 230 В
Spannung Ucb, V: 230 В
Strom Ic, A: 1 A
Bemerkung: NPN/PNP
erwartet: 2 Paar
  • 2 Paar - erwartet
auf Bestellung: 37 Paar
  • 37 Paar - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4.89 EUR
10+4.46 EUR
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2SA1837/2SC4793 Transistorpaar
Produktcode: 196247
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JSMicroTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220FP
Grenzfrequenz fT, MHz: 70 МГц
Spannung Uce, V: 230 В
Spannung Ucb, V: 230 В
Strom Ic, A: 1 A
Bemerkung: NPN/PNP
auf Bestellung: 25 St.
  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4.12 EUR
10+3.84 EUR
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2SA1837?F?TOSHIBA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA184NECCAN
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1843(0)-T-AZRenesasPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+3.95 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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2SA1843(0)-T-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SA1843(0)-T-AZRenesasDescription: 2SA1843 - Bipolar Power Transist
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
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2SA1843(0)-T-AZRenesasPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+3.95 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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2SA1843-SH-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SA1843-T-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SA1845-T-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SA1847-T-AZRenesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
141+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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2SA185
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1850E-AYSANYO
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1855S-AYSanyoDescription: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 No Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: FLP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 523 Stücke
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2SA1855S-AYONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1855S-AY - 2SA1855S-AY, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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2SA1859Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 150V 2A TO-220F
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SA1859Sanken Electric Co., Ltd.PNP 150V 2A TO-220-3 Full Pack Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.94 EUR
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2SA1859ToshibaPNP 150V 2A TO-220-3 Full Pack Транзистори
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2SA1859A
Produktcode: 28545
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1859ASanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 180V 2A TO-220F
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1859ASanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 180V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.71 EUR
105+1.62 EUR
118+1.4 EUR
200+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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2SA186
auf Bestellung 3689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1860Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 150V 14A TO-3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1860Sanken Electric Company, Ltd.Trans GP BJT PNP 150V 6A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.6 EUR
38+4.55 EUR
41+4.11 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1862
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1862ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1862-TL
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1862TLROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1862TLPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 400V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1862TLPRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 400V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 18MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1862TLPRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 400V 2A CPT3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 18MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1869ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1869-YToshiba10+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1869-Y(JKT,Q,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1869-Y(JKT,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1869-Y(Q,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1869-Y(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
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2SA1869-Y,MTSAQ(JToshibaToshiba
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2SA1869-Y,MTSAQ(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
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2SA1869-Y,Q(JToshibaToshiba
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2SA1869-Y,Q(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
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2SA187
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2SA1871NEC09+
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2SA1871-AZRenesas Electronics CorporationDescription: 1A, 600V, PNP, 3 PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 60mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: MP-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 5940 Stücke:
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369+1.62 EUR
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2SA1871-T1NECSOT-89
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2SA1871-T1-AZRenesasDescription: 2SA1871-T1-AZ - PNP SILICON TRIP
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MP-2
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 60mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
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373+1.62 EUR
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2SA1873ToshibaToshiba
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2SA1873-GRToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA1873-GRTOSHIBASOT-353
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2SA1873-GR
Produktcode: 168711
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2SA1873-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SA1873-GR(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT -150mA -50V
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12+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
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3000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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2SA1873-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Part Status: Active
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4983 Stücke:
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44+0.48 EUR
70+0.3 EUR
112+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
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2SA1873-GR(TE85LFToshibaArray
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2SA1873-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT -150mA -50V
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2SA1873-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Part Status: Active
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
60+0.36 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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2SA1873-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Part Status: Active
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SA1876(TE3T8)ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1876-4061ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1876-4071ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1876-4100ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1876-4101Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2SA1876-7061ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1876-7071ShindengenBipolar Transistors - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70
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2SA1876-7071Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
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2SA1876-7100ShindengenBipolar Transistors - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70
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2SA1876-7101ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1876-7101Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2SA1877-4061ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1877-4100ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1877-4101ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1878-4000ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1878-4112ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1878-7000ShindengenBipolar Transistors - BJT
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2SA1878-7012ShindengenBipolar Transistors - BJT
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