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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SK2713ROHM
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2713Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 450V 5A TO220FN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2713ROHM SemiconductorMOSFET Discrete Semiconductor Products
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2714TOSHIBA
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK2715ROHM01+ SOT-252
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2715TLTOSHIBA
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2715TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2SK2717
Produktcode: 48720
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2717ToshibaMOSFETs 220NIS2 PLN,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2717ToshibaТранзистори
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2SK2717 (F,T)ToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2717(F,T)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson=2.5Ohm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2717(FT)ToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2717F
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK2718
Produktcode: 37249
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ToshibaTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: 2-10R1B
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/21
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2718Toshiba2SK2718 TO220IS_6R4_900V_2.5A_N-CH Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2718ToshibaMOSFETs 220NIS2 PLN,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2718 (Q,T)ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2718(Q,T)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 2.5A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2719TOSHIBA
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2719(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK272
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2723
Produktcode: 84966
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NECTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 100 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 830/35
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.17 EUR
10+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2723NEC
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2723(0)-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2723-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2723-AZRenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2724
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2724-AZRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
150+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2725HITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2725-ERenesasTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220CFM Box
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+9.13 EUR
100+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2725-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 5A
Packaging: Bulk
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
58+9.53 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2726HITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2727HITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2727(E)RenesasTrans MOSFET N-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Box
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+15.4 EUR
100+14.41 EUR
500+13.36 EUR
1000+12.34 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2727-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 10A
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+16.06 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2728HITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2729
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2729-ERenesasTrans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Box
auf Bestellung 1337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+10.34 EUR
100+9.69 EUR
500+8.97 EUR
1000+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2729-ERenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
auf Bestellung 1337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
51+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK273ROHM
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2730HITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2731ROHM SemiconductorMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2731-146ROHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2731-T146ROHMSOT23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2731KCHITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2731T146
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2731T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 4364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2731T146ROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V 200MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2731T146Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.2A 3-Pin SMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2731T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2733ToshibaMOSFET 220ABL PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(11-04),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2733TOSHIBA
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2734HITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2735
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2735LHITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2735SHITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2736HITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2736(E)RenesasTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220CFM Magazine
auf Bestellung 3081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.8 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2736-ERenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
179+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2737HITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2737-ERenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2738HITACHI
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2738(E)RenesasTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220CFM Magazine
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2738-ERenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
119+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2739
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK274TOSHIBA
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2740ROHM
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2740Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FN
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2741TOSHIBA
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2741(TE16L)ToshibaMOSFET SP PLN,DISCON(03-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2741(TE16L)TOS2004
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2742TOSHIBA
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2742(TE16L)ToshibaMOSFET SP PLN,DISCON(03-10)/PHASE-OUT(08-04)/OBSOLETE(09-07),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2743TOSHIBA
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2744TOSHIBA
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2744(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 45A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2744(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2745TOSHIBA
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2746ToshibaN-MOSFET 7.5A 800V 170W 1.2Ω 2SK2746 T2SK2746
Anzahl je Verpackung: 17 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2746ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2746(F)ToshibaMOSFET MOS-PW,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2746(F,T)ToshibaMOSFET MOS-PW,DISCON(09-04)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2747HITACHI
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2748TOSHIBA
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK2749ToshibaN-кан. MOSFET 900V, 7A, Транзистори
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2SK2749ToshibaMOSFETs
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2SK2749(F)ToshibaMOSFETs MOS-PW,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
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2SK2749(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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2SK2749(F,T)ToshibaMOSFET MOS-PW,DISCON(09-04)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
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2SK275TOSHIBA
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2SK2750
Produktcode: 34189
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ToshibaTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 3,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/20
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
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2SK2750ToshibaMOSFETs 220NIS2 PLN,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
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2SK2750 (Q,T)ToshibaMOSFETs
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2SK2750(Q,T)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 3.5A, Rdson 2.2 Ohm
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2SK2751UTC
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2SK2751-(TX)PanasonicSOT-23-3 Транзистори
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2SK275100LPanasonic IndustryDescription: JFET N-CH 10MA MINI3-G1
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.4 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3.5 V @ 1 µA
Power - Max: 200 mW
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2SK275100LNXPJFET N-Channel 10 mA 200 mW SOT-23-3 Транзистори
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2SK2752HITACHI
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